近日，上海交通大学生物医学工程学院医疗机器人研究院邱广宇、杨广中团队在脑机接口术中急性炎症反应动态检测领域取得进展，相关成果以“Intraoperative and Spatiotemporal Mapping of Acute Inflammation Response During Neuroelectrode Implantation”（脑机接口神经电极植入术中脑区急性炎症反应的时空动态检测）为题在国际著名期刊《Matter》上发表。

近日，集成电路学院刘景全团队李秀妍副教授及合作者在国际知名学术期刊《Nature Communications》上发表了题为“Hidden structural phase transition assisted ferroelectric domain orientation engineering in Hf0.5Zr0.5O2 films”（新型相变路径辅助的氧化铪锆铁电薄膜畴取向调控）的最新研究成果。该研究首次揭示了一种氧化铪基铁电材料从反铁电四方相到铁电正交相的潜在相变路径，为多晶氧化铪基薄膜中铁电畴取向的调控提供了新的思路。

近日，上海交通大学电子信息与电气工程学院微米纳米加工技术全国重点实验室刘景全团队在面向单神经元的多功能脑机接口器件领域取得新进展，相关成果以“An opto-electrophysiology neural probe with photoelectric artifact-free for advanced single-neuron analysis”（一种用于先进单神经元分析的无光电伪影的光电生理神经探针）为题在国际著名期刊《ACS Nano》上发表。

研究采用原子层沉积（ALD）工艺在硅衬底上生长了35 nm以下不同厚度的超薄氮化铝（AlN）晶态薄膜。利用椭圆偏振光谱法在275 nm~900 nm波长范围内测量并拟合薄膜的厚度及折射率、消光系数等光学参数。利用原子力显微镜（AFM）表征AlN晶粒尺寸随生长循环数的变化，并计算得到薄膜表面粗糙度用于辅助椭偏模型拟合。针对ALD工艺特点建立合适的椭偏模型，可获得AlN超薄膜的生长速率为0.535 Å/cycle，ALN超薄膜的折射率随着生长循环数的增加而增大并逐渐趋于稳定，薄膜厚度为6.88 nm时其折射率为1.6535，薄膜厚度为33.01 nm时其折射率为1.8731。该模型为超薄介质薄膜提供了稳定、可靠的椭偏法表征。

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