热加工设备

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序号	设备名称	设备编号	设备放置地点	设备状态	工艺工程师	温度范围	设备功能	送样须知
1	快速真空热处理系统	EEI0RTP01	东区外延/离子注入区	正常	李天清	300-1250℃	快速热制程系统以红外线卤素灯管为热源，分由上、下、左、右同步辐射加热制品从而达到均匀的热处理制程,该设备在真空条件下可完成离子注入后退火,修复损伤,特殊材料的应力释放等。用于加工8英寸硅片以及向下兼容的各种样品尺寸。	禁止金属,有机物，各种光刻胶，动植物标本，粉状物，含液及易挥发物质材料,高度＜5mm,小于八寸的样品.
2	硼扩散炉（P型掺杂）	WDFSOXD01	西区炉管区	暂停开放	李进喜	500-1200℃	1. 硼预扩散； 2. 硼扩散推进退火。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
3	磷扩散炉（N型掺杂）	WDFSOXD02	西区炉管区	暂停开放	李进喜	500-1200℃	1. 磷预扩散； 2. 磷扩散推进退火。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
4	氧化炉（干氧/湿氧）	WDFSOXD03	西区炉管区	对外开放	李进喜	500-1200℃	1. 高品质氧化硅的干氧氧化； 2. 超厚氧化硅的湿氧氧化。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
5	LPCVD（非晶/多晶硅沉积）	WDFSLPF01	西区炉管区	对外开放	李进喜	700-900℃	1. 高品质非晶硅或多晶硅沉积； 2. 非晶硅及多晶硅沉积时的同步N型掺杂。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
6	LPCVD（氮化硅薄膜沉积）	WDFSLPF02	西区炉管区	对外开放	李进喜	700-900℃	1. 普通高品质氮化硅（Si3N4)薄膜沉积； 2. 高品质低应力氮化硅（Si3N4)薄膜沉积； 3. 氮氧化硅薄膜沉积。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
7	马弗炉	WDFTHTA01	西区炉管区	对外开放	李进喜	100-1200℃	氮化保护高温退火。	前段样品（无光刻胶，无任何金属膜层)。
8	Premtek快速热退火炉	WDFJRTP01	西区炉管区	对外开放	李进喜	RT~1200℃	升温速度：40℃/Sec；降温方式：水冷和气冷，平均70℃/Min；工作气体： PN2, Ar (适用于常规退火、金属硅化、合金化等）。	基片：6"1，4"1，3"4,2"9。
9	Premtek快速热氧化/氮化炉（限制级）	WDFJRTO01	西区炉管区	对外开放	李进喜	RT~1200℃	1.升温速度：40℃/Sec；降温方式：水冷和气冷，平均70℃/Min； 2. 工作气体： PN2,Ar,O2,NH3； 3. 可抽真空退火。	严禁金属入内；基片：6"1，4"1，3"4,2"9。
10	RTP-300快速热处理炉	EMCDRTP01	东区主大厅	暂停开放	毛海平	RT~700℃	温度误差±10℃。	4英寸以下样品，厚度不超过1毫米。

显示第 1 至 10 项结果，共 10 项