SVCS卧式氧化扩散炉管
（SVCS Horizontal Oxidation / Diffusion Furnace）
主要技术指标/Specifications:
- 磷扩散工艺（炉管1）
磷源：液态POCl3，工艺气体：高纯N2、O2、POCl3
Diffusion process（tube 1）
P source： Liquid POCl3，Process gas：PN2、O2、POCl3
Temperature: 900-970 °C
- 硼扩散工艺（炉管2）
扩散源：液态BBr3
主要工艺气体：高纯N2、O2、BBr3
Boron diffusion process（tube 2）
Diffusion source：Liquid BBr3
Process gas：N2, O2, BBr3
- 干氧/湿氧氧化工艺（炉管3）：
主要工艺气体：高纯N2、O2、H2、DCE
Oxidation Furnace（tube 3）：
Process gas：N2、O2、H2、DCE
- 温度范围：500-1200 °C
Process temperature：500 to 1200 degree
- 硅片尺寸：3英寸、4英寸、6英寸圆片；50片/炉
Silicon wafer: 3”,4”,6” wafer；50wafers/batch
主要用途/Applications:
用于半导体器件、光电子器件及集成电路制造等领域对硅晶片进行n型与P型扩散掺杂以及氧化工艺。
Used in n-type doping, p-type doping and oxidation of semiconductor, photo-electron devices and circuits.
