薄膜沉积设备

序号	设备名称	设备编号	设备放置地点	设备状态	工艺工程师	设备功能	温度范围	送样须知及注意事项	备注
	有机物化学气相沉积系统（单分子层表面改性）	EFM4MVD01	薄膜区	正常	乌李瑛	1.可在气相环境中对硅片、玻璃片等半导体兼容和生物兼容的衬底基片的高深宽结构进行表面修饰改性，获得非常均一且单一分子层薄膜的疏水表面、亲水表面和特定官能团功能性表面，以进行相关的半导体实验和生物化学。 2. 可与纳米压印光刻设备配套使用，提高纳米压印表面脱模质量，进一步提高纳米压印设备的图形加工能力。 3. 为全功能表面改性系统，可执行ALD（原子层沉积）、CVD（化学气相沉积）及SAM（自组装分子层沉积）等多种沉积方式	40-60	1.禁止粉末样品，样品可以带胶沉积； 2.腔体较大，对样品高度限制小，可以为立体的样品，样品材质不限，只要<15cm即可 3. 如有除预约系统上的其他原材料的改性需求，可以联系工程师讨论 4. 设备上线优惠期间，总价打6折
1	Oxford等离子体增强化学气相沉积系统	WF2OCVD01	西区薄膜II区	对外开放	刘民	1. 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜沉积； 2. 碳化硅薄膜沉积。	~ 400℃	不接受耐高温性差的样品（如含光刻胶的样品），不接受带污染的样品。
2	Parylene沉积系统	EW1PDSS01	东区薄膜Ⅳ区	对外开放	付学成	满足沉积聚对二甲苯（Parylene）的C、D、N、F不同类型的薄膜材料，沉积厚度500nm-100um、4英寸非均匀性±5%，沉积速度5um/h	20-30℃	6英寸以下的干净硅片、玻璃、石英、陶瓷衬底均可	设备实验周期长，完成一个实验周期需要8小时左右。一般早上进样品，下午取出。
3	电感耦合等离子体化学气相沉积设备	WF2PCVD01	西区薄膜II区	对外开放	付学成	低温沉积二氧化硅，氮化硅薄膜。	<70℃或<300℃	样品尺寸不大于6英寸。
4	Denton电子束蒸发镀膜设备（E-Gun）	WF1DEGN01	西区薄膜I区	对外开放	付学成	1. 蒸发沉积各类金属薄膜； 2. 蒸发沉积氧化硅薄膜； 3. 可实现+/-45度的斜角蒸发。	22℃-200℃	样品尺寸小于8英寸；不接受铂金厚膜（100nm以上），不接受在微小颗粒（毫米级以下）样品上镀膜；不接受钼、钨等高熔点、高污染金属镀膜；不接受蒸镀氧化物膜；不接受磁性材料（Fe\Ni）厚膜（大于200nm）。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm；低于50nm按照50nm收费； 3. 易产生颗粒污染，需要额外清腔。
5	Denton多靶磁控溅射镀膜系统	WF1DMSP01	西区薄膜I区	对外开放	付学成	1. 溅射沉积各类金属、氧化物、氮化物薄膜； 2. 可实现原位基片清洗、多层复合薄膜、多靶共溅复合薄膜沉积； 3. 原位基片加热（250℃）。	22℃—60℃	不接受过于潮湿的样品（厚胶3微米以上）；不接受溅射磁性材料（Fe\Ni）样品；不接受大于6英寸样品；不接受在微小颗粒（毫米级以下）样品上镀膜。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm；低于50nm按照50nm收费； 3. 易产生颗粒污染，需要额外清腔。
6	等离子体增强原子层沉积设备	WF1BALD01	西区薄膜I区	对外开放	乌李瑛	沉积多种超薄高保形性、高台阶覆盖能力的介质薄膜材料，厚度可实现原子层的控制。	室温〜500°C	样品尺寸小于8英寸，不接受粉末或带污染的样品。沉积较慢，厚膜需要较长时间。	最低0.5小时起算。
7	Ulvac超高真空溅射系统	EMCUUVS01	西区封装一区	对外开放	毛海平	溅射沉积Pd、Zr、Al、Cu等各种纳米级单层或多层纳米厚度膜（通常低于50nm)。	烘烤温度≤300℃	3英寸以下衬底；不接受有胶沉积薄膜；不接受氧气氛围反应溅射。	1. 设备费最低0.5小时起算； 2. 设备抽真空时间不计。
8	LH-Z550溅射系统	EMCL55001	东区主大厅	已报废	毛海平	只接受Cr\Cu\Au\Pt薄膜溅射。	烘烤温度≤300℃	3英寸为主。	1. 最低0.5小时起算； 2. 此价格为1炉13片的价格； 3. 贵金属材料费另计： Pt 60元/10nm/片。
9	ADVANCED离子束溅射系统	EMCAIBD01	西区薄膜I区	对外开放	毛海平	1. 沉积各类金属薄膜； 2. 磁性材料沉积需与平台联系确认。	靶面温度≤100℃,台面温度5℃－25℃	4英寸以下厚度在4毫米以下衬底；均匀性±5%；可以接受磁性材料溅射。	1. 最低4小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm； 3.不做超过300纳米厚膜。
10	SYSKEY全自动多靶溅镀系统	EODSMSP01	东区COMD大厅	暂停开放	毛海平	沉积以ITO\ZAO\IWO等氧化物半导体薄膜为主。	基板加热系统:≤300℃	样品尺寸小于3英寸。	1. 最低0.5小时起算； 2. 自带靶材自操作：350元/小时。
11	北仪电子束蒸发系统	EODBEGN01	东区COMD大厅	设备维护	毛海平	蒸镀铝、铜、银、钽等薄膜。	烘烤温度≤300℃	尺寸小于6英寸。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm； 3. 偏磁性材料，需要保养设备，不做超过1微米厚膜。
12	OLED器件实验制备系统	EODJODS01	东区COMD大厅	设备维护	毛海平	金属Al的蒸镀。	烘烤温度≤200℃	以小尺寸（3*3厘米样品为主）。	1. 最低0.5小时起算； 2. 自带材料自操作：250元/小时。
13	LPCVD（氮化硅薄膜沉积）	WDFSLPF02	西区炉管区	对外开放	李进喜	氮化硅薄膜的低压化学气相沉积（LPCVD)；低应力氮化硅薄膜沉积。	>700度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。
14	LPCVD（非晶/多晶硅沉积）	WDFSLPF01	西区炉管区	对外开放	李进喜	多晶硅以及非晶硅薄膜的低压化学气相沉积（LPCVD)	>500度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。
15	氧化炉（干氧/湿氧）	WDFSOXD03	西区炉管区	对外开放	李进喜	干氧或湿氧方式的二氧化硅炉管工艺（常压炉管方式）	1100度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。