通孔电镀填充工艺

使用“自底向上”的盲孔电镀法填充TSV时比较容易出现缺陷：如果种子层没有能够连续均匀地覆盖硅深孔内部，将会使盲孔底部产生空洞；如果电镀条件没有控制好，则会产生孔隙缺陷。因此，我们在双面电镀的基础上进行改进。将电镀填充过程分为较为简单的两次电镀过程，从而降低对种子层和对电镀条件的要求。

通孔双面电镀填充的流程：(a)以SiO₂为掩膜刻蚀深孔；(b)研磨减薄晶圆背面得到通孔；(c)沉积SiO₂绝缘层；(d)溅射Cu种子层；(e)对种子层面进行电镀至封孔；(f)对晶圆翻面；(g)电镀填充深孔；(h)研磨去除多余的铜。

孔径为30μm、孔深为300μm、深宽比为10的TSV通孔阵列经过工艺优化后无缺陷的填充效果:

此工艺可以用来填充任何材质基底的通孔，也可以作为盲孔填充的补充手段。

工艺工程师：

姓名：田苗；邮箱：miaotian@sjtu.edu.cn；电话：021-34206126-6006