近日，集成电路学院刘景全团队李秀妍副教授及合作者在国际知名学术期刊《Nature Communications》上发表了题为“Hidden structural phase transition assisted ferroelectric domain orientation engineering in Hf0.5Zr0.5O2 films”（新型相变路径辅助的氧化铪锆铁电薄膜畴取向调控）的最新研究成果。该研究首次揭示了一种氧化铪基铁电材料从反铁电四方相到铁电正交相的潜在相变路径，为多晶氧化铪基薄膜中铁电畴取向的调控提供了新的思路。

近日，上海交通大学电子信息与电气工程学院微米纳米加工技术全国重点实验室刘景全团队在面向单神经元的多功能脑机接口器件领域取得新进展，相关成果以“An opto-electrophysiology neural probe with photoelectric artifact-free for advanced single-neuron analysis”（一种用于先进单神经元分析的无光电伪影的光电生理神经探针）为题在国际著名期刊《ACS Nano》上发表。

近日，电子信息与电气工程学院刘景全团队、苏跃增团队和上海交通大学附属第六人民医院刘珅主任合作，在植入式MEMS器件的炎症抑制领域取得重要进展，相关成果以“Stimulation of Sympathetic Nerve Using Ultraflexible Cuff Electrodes Inhibits Inflammation Caused by Tendon Rupture”（超薄柔性卡夫电极刺激交感神经抑制肌腱断裂引起的炎症）为题在国际著名期刊《Advanced Functional Materials》上发表。

研究采用原子层沉积（ALD）工艺在硅衬底上生长了35 nm以下不同厚度的超薄氮化铝（AlN）晶态薄膜。利用椭圆偏振光谱法在275 nm~900 nm波长范围内测量并拟合薄膜的厚度及折射率、消光系数等光学参数。利用原子力显微镜（AFM）表征AlN晶粒尺寸随生长循环数的变化，并计算得到薄膜表面粗糙度用于辅助椭偏模型拟合。针对ALD工艺特点建立合适的椭偏模型，可获得AlN超薄膜的生长速率为0.535 Å/cycle，ALN超薄膜的折射率随着生长循环数的增加而增大并逐渐趋于稳定，薄膜厚度为6.88 nm时其折射率为1.6535，薄膜厚度为33.01 nm时其折射率为1.8731。该模型为超薄介质薄膜提供了稳定、可靠的椭偏法表征。

AEMD平台充分发挥交大人“求真务实、努力拼搏、敢为人先、与日俱进”的精神，不断产出国内外基础性、前瞻性、特色性的原创成果，努力建设成为能够实现重大突破的开放性科研平台，为加快实现我国高水平科技自立自强贡献更大的力量。平台员工累积申请及授权发明专利14余项，先后应邀在微纳制造领域会议发表大会主题报告及特邀报告20余次，在微纳加工领域的基础研究及应用开发方面取得了突出的研究成果，受到了国内外同行的广泛关注，AEMD平台已初步发展成为该领域具有领先优势的关键元器件制造技术研究与开发的平台。

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