| 型号： | Xradia 515 Versa |
|---|---|
| 功能： | 可实现样品内部亚微米或微米级的无损原位三维结构成像，空间分辨率 500 nm。 |
| 工程师： | 瞿老师 / 34207734-8003 / minni.qu@1 |
| 设备地点： | 东区测试V区 |
| 设备编号： | ETE5XRM01 |
亚微米级三维 X 射线显微镜，具备非破坏性三维断层成像能力，无需切割、染色即可获取样品内部三维结构，支持虚拟切片与 3D 可视化。搭载两级放大技术，真实空间分辨率达 500 nm，兼顾大尺寸样品成像与多尺度观测，可实现从宏观到微观的一站式检测。支持吸收衬度与相位衬度成像，适配金属、聚合物、生物组织等多类样品。配备 精准定位扫描、及分析软件，广泛应用于材料、能源、微电子、生命科学等领域的科研与工业质检。
工艺/测试能力
用于各类样品内部结构亚微米或微米级的无损三维成像，主要涉及半导体材料、电子元件、及其他复合材料如高分子聚合物、涂层、复合材料等。配合平台二期建设中新增的晶圆键合系统、激光植球系统、TSV深孔填充电镀工艺及其他芯片结构分析测试。
封闭式透射型X射线源；最高工作电压≥150 kV，最大功率≥10 W；封闭式透射型射线源可以移动，移动范围（X射线方向）≥190mm；具备CCD探测器：像素数量≥2048×2048, 像素尺寸≤15μm具备光电耦合物镜探测器不少于4个倍率的物镜（必须包含0.4x和40x的物镜）；物镜0.4x的三维视野（FOV）≥50mm；物镜40x的空间分辨率优于0.5um；空间分辨率（spatial resolution）≤500nm； 最小可实现的体素 (voxel) ≤40nm。
利用短波长 X 射线穿透样品，通过探测其吸收、相位偏移或散射的差异，形成微观结构的高分辨率投影或断层图像。它结合了传统 CT与显微放大技术，实现无损内部三维观测。物质原子序数越高、密度越大，对 X 射线吸收越强。
芯片内部3D结构观察
TSV样品Cu填充情况观察
枣核样品三维形貌观察
最大样品尺寸为300 mm，如需进行高分辨率测试（体素分辨率≤1μm）的样品，为获得最佳成像质量，样品的宽度与厚度尽量在1mm左右。
A级设备
可能是粗对中没做好，可以稍微将source远离样品，减小pixel size，若还看不见，可返回Load页面检查样品情况，确保样品牢固地安装在样品台，重新进行粗对中，再到Scout页面设置。确定所有步骤正确，但仍没有看到投影，请联系设备负责人。
