尊敬的各位用户老师、同学：
为了进一步满足广大师生的科研需求，AEMD平台新上线二、三期设备：感应耦合等离子深刻蚀机（设备编号：EFM4DSE01）。即日起，各位用户可通过AEMD实验室设备预约管理系统进行预约使用，特此公告。
感应耦合等离子深刻蚀机（EFM4DSE01）
功能
1. BOSCH工艺深硅刻蚀； 2. TSV硅深孔刻蚀； 3. SOI表面硅结构刻蚀。
主要用途
主要用于深硅刻蚀，同时兼具Bosch/Non-Bosch工艺，实现多工艺领域覆盖。该机台针对Bosch循环工艺方式采用专业先进的快速响应硬件配置及软件流程控制，结合先进的工艺技术，可实现高深宽比下良好的工艺性能，满足各种工艺需求。
工艺能力
最大刻蚀速率约6um/min，与光刻胶选择比高达50:1，深宽比>30:1@1μm trench，侧壁粗糙度<100nm。
技术指标
机台为8英寸设计，可向下兼容6英寸、4英寸、3英寸和各种不规则硅片，破片等。其配备了SF₆、C₄F₈等工艺气体和O₂、Ar等气体。
典型使用案例：
中间灰色：可动质量块 + 弹性梁；红绿蓝色：固定梳齿电极
微米级窄沟槽垂直隔离梳齿，仅博世工艺能实现近乎垂直侧壁，避免横向钻蚀导致电极短路。
2. 陀螺仪梳齿 SEM 实拍
梳齿厚度 40~80μm，齿间隙仅 1.6~1.8μm，沟槽深宽比极高；
侧壁细微波浪为博世工艺标志性扇贝纹，短脉冲工艺可大幅减小波纹粗糙度。
工艺工程师：刘民，34206126-6013，minliu@sjtu.edu.cn
设备地点：东区薄膜Ⅳ区
设备详细介绍查看路径：AEMD官网-平台设备-干法刻蚀设备
AEMD官网网址：https://aemd.sjtu.edu.cn/
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先进电子材料与器件（AEMD）平台
2026年11月13日
