研究采用原子层沉积（ALD）工艺在硅衬底上生长了35 nm以下不同厚度的超薄氮化铝（AlN）晶态薄膜。利用椭圆偏振光谱法在275 nm~900 nm波长范围内测量并拟合薄膜的厚度及折射率、消光系数等光学参数。利用原子力显微镜（AFM）表征AlN晶粒尺寸随生长循环数的变化，并计算得到薄膜表面粗糙度用于辅助椭偏模型拟合。针对ALD工艺特点建立合适的椭偏模型，可获得AlN超薄膜的生长速率为0.535 Å/cycle，ALN超薄膜的折射率随着生长循环数的增加而增大并逐渐趋于稳定，薄膜厚度为6.88 nm时其折射率为1.6535，薄膜厚度为33.01 nm时其折射率为1.8731。该模型为超薄介质薄膜提供了稳定、可靠的椭偏法表征。
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