光刻辅助设备
| 分类序号 | 设备名称 | 设备编号 | 放置地点 | 设备状态 | 工艺工程师 | 设备功能 | 送样须知及注意事项 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | HMDS烘箱 | EDD2HMD01 | 东区显影Ⅱ区 | 对外开放 | 张笛 | 1、温度范围25°C至200°C 2、使用HMDS填充腔室 3、HMDS 在晶圆表面形成一层疏水涂层，去除水分，增强光刻胶与基底（如硅、玻璃等）的附着力 4、兼容不同尺寸的晶圆（最大8 英寸），适合多种工艺应用 | 1、样品需提前与工艺老师确认。 2、样品正面与背面均需要保持平整洁净。 | |
| 2 | HP-200半自动热板 | EDD2HPS01、EDD2HPS02 | 东区显影Ⅱ区 | 对外开放 | 张笛 | 1、温度范围0°C至250°C 2、温度精度：+/- 0.6°C（100℃） 3、工作模式：接近式，接近距离：0-8mm；通过顶针可调节热板与晶圆间距 4、热板加工尺寸：最大8英寸，向下兼容 | 1、样品需提前与工艺老师确认。 2、样品正面与背面均需要保持平整洁净。 | |
| 3 | SM-200半自动涂胶机 | EDD2SMS01 | 东区显影Ⅱ区 | 对外开放 | 张笛 | 1、可支持1/2/3/4/5/6/7/8英寸等不同尺寸的晶圆旋涂 2、支持手动上下晶圆片，自动供胶（可切换成手动供胶），自动匀胶。 3、涂胶台转速范围：0~6000rpm，加速度在0.6秒达到6000rpm 4、涂胶台速控精度：±1rpm；旋转方向：正向、反向 5、支持晶圆去边、背洗等功能 | 1、样品需提前与工艺老师确认。 2、样品正面与背面均需要保持平整洁净。 | |
| 4 | SMD-200半自动显影机 | EDD2SMD01 | 东区显影Ⅱ区 | 对外开放 | 张笛 | 1、可支持2/3/4/5/6/7/8英寸等不同尺寸的晶圆旋涂 2、最多支持 20 个步骤 3、显影台转速范围：0~3000rpm，加速度在0.3秒达到6000rpm 4、支持显影机械臂来回移动、浸润、流水、喷雾等多种显影方式 5、支持氮气、旋涂、背洗干燥 | 1、样品需提前与工艺老师确认。 2、样品正面与背面均需要保持平整洁净。 | |
| 5 | SUSS 高性能涂胶机 | ELT3MCS81 | 东区光刻ⅢA区 | 对外开放 | 王凤丹 | 涂胶 | 支持 2”~8”标准晶圆，以及大于10mm x 10mm 的碎片 | |
| 6 | SUSS 高性能显影机 | ELT3RCD81 | 东区光刻ⅢA区 | 对外开放 | 王凤丹 | 显影 | 支持 2”~8”标准晶圆，以及大于10mm x 10mm 的碎片 | |
| 7 | SVS HMDS 烘箱 | WPHSOVH01 | 西区光刻区 | 暂停开放 | 徐剑 | 1. 光刻旋涂前增强粘附能力打底； 2. 基片表面憎水性处理。 | 仅限单独基片HMDS憎水处理工艺。 | |
| 8 | YES HMDS 烘箱 | WPHYOVH02 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | |||
| 9 | SUSS高性能涂胶机I | WPHSCOT01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 1. 光刻胶旋涂； 2. 柔性基底原浆旋涂。 | 6"以下标准片或碎片（10mm*10mm最小） | 1. 仅限常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺，含匀胶后的热板烘烤工艺； 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计。 |
| 10 | Laurell高性能匀胶机 | WPHSCOT02 | 西区光刻区 | 对外开放 | 徐剑 | 1. 光刻胶旋涂； 2. 柔性基底原浆旋涂。 | 6"以下标准片或碎片（10mm*10mm最小） | 1. 仅限常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺，含匀胶后的热板烘烤工艺； 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计。 |
| 11 | SUSS匀胶机 | EPHKCOT01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 张笛 | 1. 光刻胶旋涂（正胶)； 2. 柔性基底原浆旋涂。 | 【光刻胶旋涂（正胶)及 柔性基底原浆旋涂。】 1. 仅限常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺（<5μm），含匀胶后的热板烘烤工艺； 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计； 3. 每片单独计时，多片样品计时时间不累加。 【光刻胶旋涂（SU8)】 1. 仅限常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺（<100μm），含匀胶后的热板烘烤工艺； 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计； 3. 每片单独计时，多片样品计时时间不累加。 |
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| 12 | Laurell高性能匀胶机 | EODBCOT01 | 东区COMD光刻区 | 对外开放 | 张笛 | 光刻胶旋涂 | 1. 限仅常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺，含匀胶后的热板烘烤工艺； 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计。 |
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| 13 | EVG喷胶机 | WPHESPC01 | 西区光刻区 | 设备维护 | 王凤丹 | |||
| 14 | Suss高性能热板 | WPHSHTP01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 光刻胶烘烤 | 半导体标准硅片或玻璃片，样品小于8" | |
| 15 | HP普通热板 | WPHDHTP01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 光刻胶烘烤 | 半导体标准硅片或玻璃片，样品小于8" | |
| 16 | 普通热板 | EPHSHTP01 | 西区过道 | 对外开放 | 张笛 | 光刻胶烘烤（60-250℃） | ||
| 17 | 显影湿法台 | WPHKODT01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 烧杯或槽式显影，限4"及以下 | ||
| 18 | Laurel显影机 | WPHLEDC01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 6"以下基片喷射式显影 | ||
| 19 | Binder氮气保护烘箱 | WPHBOVV01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 徐剑 | 1. 基片真空脱水； 2. 真空烘烤（300℃）。 | 半导体标准硅片或玻璃片 |