光刻辅助设备
分类序号 | 设备名称 | 设备编号 | 放置地点 | 设备状态 | 工艺工程师 | 设备功能 | 送样须知及注意事项 | 备注 |
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1 | SVS HMDS 烘箱 | WPHSOVH01 | 西区光刻区 | 暂停开放 | 徐剑 | 1. 光刻旋涂前增强粘附能力打底; 2. 基片表面憎水性处理。 | 仅限单独基片HMDS憎水处理工艺。 | |
2 | YES HMDS 烘箱 | WPHYOVH02 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | |||
3 | SUSS高性能涂胶机I | WPHSCOT01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 1. 光刻胶旋涂; 2. 柔性基底原浆旋涂。 | 6"以下标准片或碎片(10mm*10mm最小) | 1. 仅限常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺,含匀胶后的热板烘烤工艺; 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计。 |
4 | Laurell高性能匀胶机 | WPHSCOT02 | 西区光刻区 | 对外开放 | 徐剑 | 1. 光刻胶旋涂; 2. 柔性基底原浆旋涂。 | 6"以下标准片或碎片(10mm*10mm最小) | 1. 仅限常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺,含匀胶后的热板烘烤工艺; 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计。 |
5 | SUSS匀胶机 | EPHKCOT01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 张笛 | 1. 光刻胶旋涂(正胶); 2. 柔性基底原浆旋涂。 | 【光刻胶旋涂(正胶)及 柔性基底原浆旋涂。】 1. 仅限常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺(<5μm),含匀胶后的热板烘烤工艺; 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计; 3. 每片单独计时,多片样品计时时间不累加。 【光刻胶旋涂(SU8)】 1. 仅限常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺(<100μm),含匀胶后的热板烘烤工艺; 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计; 3. 每片单独计时,多片样品计时时间不累加。 |
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6 | Laurell高性能匀胶机 | EODBCOT01 | 东区COMD光刻区 | 对外开放 | 张笛 | 光刻胶旋涂 | 1. 限仅常规厚度常规光刻胶匀胶的工艺,含匀胶后的热板烘烤工艺; 2. 特殊光刻胶、贵重光刻胶/凝胶及厚胶工艺价格另计。 |
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7 | EVG喷胶机 | WPHESPC01 | 西区光刻区 | 设备维护 | 王凤丹 | |||
8 | Suss高性能热板 | WPHSHTP01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 光刻胶烘烤 | 半导体标准硅片或玻璃片,样品小于8" | |
9 | HP普通热板 | WPHDHTP01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 光刻胶烘烤 | 半导体标准硅片或玻璃片,样品小于8" | |
10 | 普通热板 | EPHSHTP01 | 西区过道 | 对外开放 | 张笛 | 光刻胶烘烤(60-250℃) | ||
11 | 显影湿法台 | WPHKODT01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 烧杯或槽式显影,限4"及以下 | ||
12 | Laurel显影机 | WPHLEDC01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 王凤丹 | 6"以下基片喷射式显影 | ||
13 | Binder氮气保护烘箱 | WPHBOVV01 | 西区光刻区 | 对外开放 | 徐剑 | 1. 基片真空脱水; 2. 真空烘烤(300℃)。 | 半导体标准硅片或玻璃片 |