干法刻蚀设备

序号	设备名称	设备编号	设备放置地点	设备状态	工艺工程师	设备功能	刻蚀气体	工艺温度	最大样品尺寸	送样须知及注意事项
1	VHF刻蚀系统	EFM3VHF01	东区薄膜Ⅲ区	对外开放	张琰	SiO2刻蚀	VHF	45℃	8inch	undercut需要提供2-3片样片调试工艺，SiO2厚度大于200nm
2	Sentech ICP反应离子刻蚀机（用于金属薄膜）	WF2SRIE01	西区薄膜II区	对外开放	刘民	1. Al、Ni、Cr、Ti等金属薄膜RIE刻蚀； 2. 多晶硅刻蚀； 3. 纳米级浅硅（如硅波导）。	CF4、Cl2、HBr、SF6、SiCl4、BCl3	-20℃到80℃可控	8英寸	该设备主要刻蚀金属薄膜和纳米级浅硅（如硅波导）等样品，不接受高污染样品刻蚀。
3	NMC ICP反应离子刻蚀机（用于介质薄膜）	WF2NRIE02	西区薄膜II区	对外开放	刘民	1. RIE刻蚀氧化硅（SiO2）、氮化硅（SixNy）、氮氧化硅（SiON）、SiC等介质； 2. RIE刻蚀Si、多晶硅等。	O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3	10℃到80℃可控	6英寸	不接受金属掩膜样品刻蚀，不接受带污染的样品。
4	SPTS反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-I)	WF2SDSE01	西区薄膜II区	对外开放	刘民	1. BOSCH工艺或非BOSCH工艺深硅刻蚀； 2. Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。	SF6、C4F8、Ar、O2	10℃到30℃可控	6英寸	该设备以浅硅刻蚀工艺为主，不接受金属掩膜样品刻蚀，如果样品为非标准尺寸，需要用粘片方式刻蚀。
5	NMC反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-II)	WF2NDSE02	西区薄膜II区	对外开放	刘民	1. BOSCH工艺或非BOSCH工艺深硅刻蚀； 2. Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。	SF6、C4F8、Ar、O2	10℃到80℃可控	6英寸	该设备以深硅刻蚀工艺为主；如果样品为非6寸片或碎片，需要用粘片方式刻蚀。
6	PVA-TePla微波等离子去胶机/表面处理机	WF2PASH01	西区薄膜II区	对外开放	刘民	1. 干法刻蚀后光刻胶灰化（去胶）； 2. 基片表面等离子改性（O2或N2)。	O2、N2		8英寸	不接受SU8胶的去除，不接受已经变性的光刻胶去除，特殊胶的去除需要事先确认。
7	ADVANCED离子束刻蚀系统	EMCAIBE01	西区薄膜I区	对外开放	毛海平	1. Al、Ni、Cr、Ti、Au等金属薄膜物理刻蚀； 2. 金属氧化物，非金属氧化物等刻蚀； 3. III-V族半导体刻蚀。	Ar	台面温度：10℃-25℃	4英寸	厚度在4毫米以下衬底，均匀性±5%，无衬底温度升高限制样品。刻蚀速率10nm-200nm/min。
8	DQJ-150等离子去胶机	EMCKPCL01	东区主大厅	对外开放	毛海平	1. 等离子表面处理； 2. 等离子去胶（O2），去除显影未净的残胶，每次只能打一分钟。	O2		4英寸	全部去胶，不能选择性去除光刻胶，没有均匀性要求。
9	PE-100等离子去胶（刻蚀）仪	EODPASH01	东区COMD大厅	对外开放	毛海平	1. 等离子表面处理； 2. 等离子去胶（O2）。	O2		6英寸	可以去残胶，可以进行表面处理，均匀性好。
10	HARRICK等离子清洗机（表面改性）	WF1HPCL01	西区薄膜I区	对外开放	付学成	1. 基片表面等离子清洗； 2. 基片表面改性处理（O2或N2）。	O2、N2		6英寸	不接受厚胶清洗去胶。
11	PVA-Tepla微波等离子去胶机(兼容SU-8及PI干法去胶)	WF2PION01	西区薄膜II区	对外开放	张笛	1. 可干法去除正性及负性（SU8）光刻胶； 2. 可干法去除聚酰亚胺（PI）光刻胶； 3. 可干法去除有机物； 4. 基片表面等离子改性（02\Ar）。	N2、Ar、O2、CF4	0-180℃	8英寸	晶圆材料：SOI、SI、玻璃、铜片等其他半导体材料。