| 型号： | GNP POLI-500 |
|---|---|
| 功能： | GNP-Poli 500为处理晶圆的化学机械抛光设备。核心用于半导体集成电路领域，通过化学腐蚀与机械研磨协同，实现亚纳米级表面平整、减薄与缺陷消除。 |
| 工程师： | 杨老师 / (021) 34206126-6017 / yangpeiyi@1 |
| 设备地点： | 东区CMP区 |
| 设备编号： | ECMP001 |
化学机械抛光（CMP）凭借化学腐蚀与机械研磨协同作用的优势，能实现纳米级的表面精度控制，在晶圆制造的各项工艺中，每沉积一层金属或介质层后，表面会出现凹凸不平。CMP 设备能将其抛光至纳米级平整度，确保后续光刻、蚀刻等工序的精度，用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、TSV等产品的平坦化抛光。
支持薄膜厚度:50nm-2000nm;
工艺均匀性：≈5%（除边5mm）
Ra：氧化硅＜0.5nm、Cu＜1nm;
晶圆尺寸：4、6、8寸。
正方形1*1、1.5*1.5、2*2、3*3cm（如有其他尺寸请联系工艺老师）
去除速率＞200nm/min。
晶圆厚度：大于350um 小方片厚度：大于400um
在抛光过程中，晶圆通过抛光头（夹持头），按照给定压力作用在贴有抛光垫的旋转抛光盘上，同时相对自身轴线做旋转运动以及相对抛光盘做往复摆动运动。
抛光液输送在晶圆和抛光垫之间的接触界面内，不断和晶圆表面发生化学反应，通过磨粒的机械作用以及抛光液的化学作用，实现表面材料的去除。
用户来料
最终形貌
一：CMP工艺需施加高压并快速旋转，工艺过程中存在碎片的风险，因此来料需满足样品的外观完全完整。样品在送样前请先与工艺老师联系，现场确认样品情况。存在翘曲、崩缺、裂纹或者内部缺陷，此类晶圆不建议上机。若用户确实存在特殊需求坚持上机，则用户需承担一定风险，1.样品损失的风险。2.部分设备备件损坏的赔偿。二：如需要订制夹具请提前联系工艺老师，产生的费用需另外计算。
