| Model： | K2500 |
|---|---|
| Function： | 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。 |
| Engineer： | 瞿老师 / +86-21- 34207734-8003 / minni.qu@1 |
| Location： | 西区测试I区 |
| Equipment ID： | WT1MHAL01 |
测量半导体材料与薄膜中的载流子类型、浓度、迁移率； 测量半导体材料与薄膜的电阻率、霍尔系数等参数；可实现300K～700K变温测量。
可测量：可控温度下电阻率、载流子迁移率、载流子浓度、载流子类型、薄膜电阻等。
当导电材料（半导体或金属）在外加磁场中流过电流时，载流子（电子或空穴）受到洛伦兹力作用，偏离原来的直线运动轨迹，形成垂直于电流和磁场方向的电势差，这种现象称为霍尔效应; 霍尔效应仪通过测量霍尔电压、已知电流和磁场强度来计算材料的物理参数。
钙钛矿载流子类型、浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数及变温电阻率：
样品制样为不小于1 cm×1 cm，不大于2 cm×2 cm；，最好能用银浆制备电极。四个电极的间距在0.6-0.8毫米，电极大小1个平方毫米左右。样品高度在1-3毫米最好。
禁止用力弯曲探针引线导致变形。
异常原因：
测试电流超出设备量程，或两两电极之间测试电流相差太大；
处理方法：
（1）点击“确定”按钮重新开始测试，查看弹窗是否继续出现；
（2）停止测试，重新放置样品，并仔细检查四个探针是否同时接触样品表面；
（3）如以上操作无法解决问题，请联系工艺负责人。
Address: 800 Dongchuan Road, Minhang District, Shanghai 200240, China
Tel: +86 21 3420 7734
Email: aemd@sjtu.edu.cn
