| Model： | SE-2000 |
|---|---|
| Function： | 用于探测单层或多层薄膜的折射率（n）、消光系数（k）及厚度等信息 |
| Engineer： | 瞿老师 / +86-21- 34207734-8003 / minni.qu@1 |
| Location： | 西区测试I区 |
| Equipment ID： | WT1SELP01 |
设备提供紫外-可见-近红外（245 nm~1600 nm) 波长下的椭圆偏振光谱测试，可用于探测单层或多层薄膜的折射率（n）、消光系数（k）及厚度等信息。采用光学反射模式，测量过程无损、快捷。 可用于半导体中的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、high-k介电材料（如HfO₂等）、low-k材料、光刻胶、SOI、SiGe、SiC、多晶硅及应变硅等薄膜的测量；平板显示器中的IGZO、电致变色层；铁电材料等测量；用于AlGaN、GaN、InP等光电器件化合物半导体材料；以及太阳能电池中的透明导电物薄膜、纳米材料；OLED或OTFT中的有机薄膜的测量。 在超薄膜测量方面，可用于原子层沉积（ALD）生长的超薄介质膜测量，也可用于单层石墨烯等新型二维材料。同时，设备配备有非接触式涡流测量模块，可对样品提供无损、快速的（导电/半导体）薄层方块电阻测试。
波长测试范围：245nm~1600nm，对于120nm厚度SiO₂/Si标准样品，其测试厚度准确性≤±5Å，厚度重复性≤0.2Å，折射率准确性≤±0.009，折射率重复性≤0.002，消光系数重复性1sigma≤2%。方块电阻测试重复10次的可重复性：1sigma＜3%。
可提供多层薄膜各层的拟合曲线：（下图是SOI基片上光刻胶样品的单点测试结果，从拟合曲线可以分析出光刻胶、顶硅、二氧化硅这三层薄膜的厚度及光学常数，其中光刻胶的厚度为64.6 nm。）
样品保持洁净，禁止用手直接触摸。晶圆样品大小不超过8inch。
手动模式下输入样品厚度使样品台上升时，需严格注意不能撞到Eddy探头。
由于样品厚度、成分等变化导致之前存储的测试菜单（recipe）不适用；
Address: 800 Dongchuan Road, Minhang District, Shanghai 200240, China
Tel: +86 21 3420 7734
Email: aemd@sjtu.edu.cn
