干法刻蚀设备

序号设备名称设备编号设备放置地点设备状态工艺工程师设备功能刻蚀气体工艺温度最大样品尺寸送样须知及注意事项
1Sentech ICP反应离子刻蚀机(用于金属薄膜)WF2SRIE01西区薄膜II区对外开放刘民1. Al、Ni、Cr、Ti等金属薄膜RIE刻蚀;
2. 多晶硅刻蚀;
3. 纳米级浅硅(如硅波导)。
CF4、Cl2、HBr、SF6、SiCl4、BCl3-20℃到80℃可控8英寸该设备主要刻蚀金属薄膜和纳米级浅硅(如硅波导)等样品,不接受高污染样品刻蚀。
2NMC ICP反应离子刻蚀机(用于介质薄膜)WF2NRIE02西区薄膜II区对外开放刘民1. RIE刻蚀氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质;
2. RIE刻蚀SiC; SiO2、Si3N4、SiON、SiC;
3. 硅、多晶硅刻蚀。
O2、CF4、CHF3、SF6、BCl310℃到80℃可控6英寸不接受金属掩膜样品刻蚀,不接受带污染的样品。
3SPTS反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-I)WF2SDSE01西区薄膜II区对外开放刘民1. BOSH工艺或非BOSH工艺深硅刻蚀;
2. Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。
SF6、C4F8、Ar、O210℃到30℃可控6英寸该设备以浅硅刻蚀工艺为主,不接受金属掩膜样品刻蚀,如果样品为非标准尺寸,需要用粘片方式刻蚀。
4NMC反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-II)WF2NDSE02西区薄膜II区对外开放刘民1. BOSH工艺或非BOSH工艺深硅刻蚀;
2. Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。
SF6、C4F8、Ar、O210℃到80℃可控6英寸该设备以深硅刻蚀工艺为主;如果样品为非6寸片或碎片,需要用粘片方式刻蚀。
5PVA-TePla微波等离子去胶机/表面处理机WF2PASH01西区薄膜II区对外开放刘民1. 干法刻蚀后光刻胶灰化(去胶);
2. 基片表面等离子改性(O2或N2)。
O2、N28英寸不接受SU8胶的去除,不接受已经变性的光刻胶去除,特殊胶的去除需要事先确认。
6ADVANCED离子束刻蚀系统EMCAIBE01东区主大厅对外开放毛海平1. Al、Ni、Cr、Ti、Au等金属薄膜物理刻蚀;
2. 金属氧化物,非金属氧化物等刻蚀;
3. III-V族半导体刻蚀。
Ar台面温度:10℃-25℃4英寸厚度在4毫米以下衬底,均匀性±5%,无衬底温度升高限制样品。刻蚀速率10nm-200nm/min。
7DQJ-150等离子去胶机EMCKPCL01东区主大厅对外开放毛海平1. 等离子表面处理;
2. 等离子去胶(O2),去除显影未净的残胶,每次只能打一分钟。
O24英寸全部去胶,不能选择性去除光刻胶,没有均匀性要求。
8PE-100等离子去胶(刻蚀)仪EODPASH01东区COMD大厅对外开放毛海平1. 等离子表面处理;
2. 等离子去胶(O2)。
O26英寸可以去残胶,可以进行表面处理,均匀性好。
9HARRICK等离子清洗机(表面改性)WF1HPCL01西区薄膜I区对外开放付学成1. 基片表面等离子清洗;
2. 基片表面改性处理(O2或N2)。
O2、N26英寸不接受厚胶清洗去胶。
10PVA-Tepla微波等离子去胶机(兼容SU-8及PI干法去胶) WF2PION01西区薄膜II区对外开放张笛1. 可干法去除正性及负性(SU8)光刻胶;
2. 可干法去除聚酰亚胺(PI)光刻胶;
3. 可干法去除有机物;
4. 基片表面等离子改性(02\Ar)。
N2、Ar、O2、CF40-180℃8英寸晶圆材料:SOI、SI、玻璃、铜片等其他半导体材料。