光刻图形化设备

序号设备名称设备编号设备放置地点设备状态工艺工程师基片尺寸光源分辨率是否双面对准设备功能备注
1深紫外步进光刻机ELT2DUV01东区光刻Ⅱ区(Canon)正常徐剑3/4/6/8KrF180 nm否在180 nm工艺光刻按需分时间段，分别进行8寸、6寸、4寸、3寸全自动涂胶-曝光-显影
2自动涂胶显影机（TRACK）ELT2ACT01东区光刻Ⅱ区(Canon)对外开放徐辉3/4/6/8无180 nm否在180 nm半导体工艺节点中全自动涂胶显影目前仅支持8inch wafer
3DWL66+ 激光直写光刻机ELT3DWL01东区光刻ⅢA区对外开放王凤丹9寸及以下405nm600nm否1. 15*15mm~8 inch wafer光刻
2. 激光直写曝光模式
3. 最大曝光面积8inch
4. 600 nm分辨率（4mm写头），1000nm分辨率（10mm写头）
5. 单机台对准精度：3σ≤ 100 nm
6. 写入速度≥150mm²/min(10mm写头），写入速度≥13mm²/min （4mm写头）
7.支持255阶灰度曝光直写
4桌面式激光直写光刻机ELT3MLA01东区光刻ⅢA区对外开放王凤丹5寸及以下365nm1000nm否1. 15*15mm~5 inch wafer光刻
2. 激光直写曝光模式
3. 最大曝光面积5inch
4. 1000nm分辨率
5. 单机台对准精度：3σ≤ 1000 nm
6. 写入速度≥30mm²/min
5SUSS MA8/BA8双面对准光刻机ELT3MA801东区光刻ⅢA区对外开放王凤丹8“以下晶圆及碎片365nm/404nm/435nm0.8um是微纳结构与器件图形光刻
6紫外双面光刻机ELT2DLS01东区光刻Ⅱ区(Canon)对外开放张笛6“以下晶圆及碎片LED i-line 365nm0.8um是1、6“以下晶圆及碎片双面光刻图形化
2、图形最小分辨率可至0.8um
3、配合晶圆键合系统提供高精度键合晶圆及芯片对准。
4、可配套EVG-510键合机实现晶圆对准、定位功能。		1、样品需提前与工艺老师确认。
2、样品正面与背面均需要保持平整洁净。
3、材料费按片数量单独计价
4、正性光刻胶按1片/0.5h计算，如厚度超过20um另行计价。
5、SU-8光刻胶厚度超过10um按1片/1h计算。
7高精度微喷墨打印系统WPK1MNDS1西区封装Ⅰ区对外开放张笛10mm*10mm-250mm*250mm无≥30um否1. 平台移动范围: X轴300 mm，Y轴300 mm，Z轴60 mm；
2. 可放置基底尺寸为250mm*250mm；
3. 喷头自吸式供液方式
4. 最小可做线宽尺寸可优于30um；
5. 可打印溶剂黏度450cps以下；
6. 打印微结构为非离散型，包括线和薄膜一次打印须为连续结构；
7. 打印液滴与基底无撞击力，不会产生卫星点；
8. 可编辑打印图形：点阵列、连续性线、折线、圆弧、连续薄膜等；
9. 具备实时CCD视频采集监控系统；		1. 如需加工请与负责老师提前联系确认；2. 打印针头另计费用（也可自行购买或提供）
8激光诱导深度刻蚀ECS0LED01东区化合物半导体区对外开放田苗510mm*500mm激光10um否激光诱导
9双光子三维微纳打印系统ELT3MPO01东区光刻ⅢA区对外开放徐丽萍4寸，向下兼容碎片522nm飞秒激光100nm否使用双光子聚合（TPP）技术使光刻胶结构化，可用于微结构的3D光刻和3D微打印，应用于光学、光子学、力学和生物医学工程。1.基底尺寸≤4-inch，厚度≤4cm；
2.样品特征尺寸≤500nm时，基底必须经过O2 plasma处理以增强粘附力；
3.用户需自行准备版图文件，支持版图文件格式：3D结构：.obj, .stl；灰度曝光：.bmp, .tif, .png。
4.单次工艺时长超过10小时，享受9折优惠；单次工艺时长超过30小时，享受8折优惠。
10Vistec EBPG-5200电子束光刻系统WPHVEBL01西区光刻区对外开放徐剑8"以下电子束8nm否大写场（1mmx1mm),大加速电压（100KV），大扫描速度（50Hz),大束流（0.1nA~100nA); 拼接精度：+/-12nm。1 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察；
2. 仅限常规光刻胶厚度，厚胶工艺费用另计；
3. 特殊光刻胶费用另议。
11SUSS MA6双面对准光刻机WPHSMAL01西区光刻区对外开放王凤丹6"以下紫外光350nm～450nm0.8um是微纳结构与器件图形光刻。1. 含匀胶、热板、HMDS烘箱、显影及普通显微镜观察；
2.特殊光刻胶费用另计；
3. 厚胶工艺另计；
4. 不含基片与掩膜版；
5. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片；
6. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。
12SUSS MA6/BA6双面对准接触式紫外光刻机EPHSMAL01西区光刻区对外开放张笛4"以下紫外光350nm～450nm0.8um是 微纳结构与器件图形光刻。
1. 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察；
2. 特殊光刻胶费用另计；
3. 厚胶工艺另计；
4. 不含基片与掩膜版；
5. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片；
6. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。
13ABM接触式掩膜紫外曝光机EODAMAL01东区COMD光刻区对外开放张笛4"以下硅片及玻璃220nm, 254nm, 365nm,0.5um否1. 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察；
2. 特殊光刻胶费用另计；
3. 厚胶工艺另计；
4. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片；
5. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。半导体标准硅片或玻璃片；
6. 掩模版大小：5",7"。
14双束聚焦离子束系统设备-ZEISS AurigaWF1ZFIB01西区薄膜I区对外开放王英150mm以下电子束、离子束2.5nm否1. 在离子束或电子束诱导下可控沉积Pt、W、C、SiO2薄膜或纳米图形；
2. 在离子束或电子束诱导下可控增加或选择刻蚀(刻蚀辅助气体为：水或XeF2)；
3. 纳米级图形沉积或纳米级图形切割；
4. 半导体集成电路器件与芯片电路修复；
5. 半导体集成电路器件与芯片失效分析（定点剖面切割）；
6. TEM（透射电镜）样品制备；
7. 通过原位切割同步SEM成像，获得微纳米尺度的器件、结构或材料的三维图像；
8. 原子探针针尖加工与修整；
9. 器件两极电学特性测试；
10. 原位元素EDX能谱分析。
15Eitre-6 纳米压印机WPHNILE01西区光刻区对外开放徐丽萍6寸，向下兼容至10mm破片365nm小于20nm否用于实现微纳图形结构制备，可以使用热压印、UV压印以及热和UV同时压印（STU ™）。1.不含压印母模及其抗黏处理工艺（母模加工可采用平台电子束直写曝光系统）;
2.一个完整的压印过程包含(1)IPS子模复制和(2)衬底压印，IPS子模复制需在衬底压印前完成。