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光刻图形化设备

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序号	设备名称	设备编号	设备放置地点	设备状态	工艺工程师	基片尺寸	光源	分辨率	是否双面对准	设备功能	备注
1	深紫外步进光刻机	ELT2DUV01	东区光刻Ⅱ区(Canon)	正常	徐剑	3/4/6/8	KrF	180 nm	否	在180 nm工艺光刻	按需分时间段，分别进行8寸、6寸、4寸、3寸全自动涂胶-曝光-显影
2	自动涂胶显影机（TRACK）	ELT2ACT01	东区光刻Ⅱ区(Canon)	对外开放	徐辉	3/4/6/8	无	180 nm	否	在180 nm半导体工艺节点中全自动涂胶显影	目前仅支持8inch wafer
3	DWL66+ 激光直写光刻机	ELT3DWL01	东区光刻ⅢA区	对外开放	王凤丹	9寸及以下	405nm	600nm	否	1. 15*15mm~8 inch wafer光刻 2. 激光直写曝光模式 3. 最大曝光面积8inch 4. 600 nm分辨率（4mm写头），1000nm分辨率（10mm写头） 5. 单机台对准精度：3σ≤ 100 nm 6. 写入速度≥150mm²/min(10mm写头），写入速度≥13mm²/min （4mm写头） 7.支持255阶灰度曝光直写
4	桌面式激光直写光刻机	ELT3MLA01	东区光刻ⅢA区	对外开放	王凤丹	5寸及以下	365nm	1000nm	否	1. 15*15mm~5 inch wafer光刻 2. 激光直写曝光模式 3. 最大曝光面积5inch 4. 1000nm分辨率 5. 单机台对准精度：3σ≤ 1000 nm 6. 写入速度≥30mm²/min
5	SUSS MA8/BA8双面对准光刻机	ELT3MA801	东区光刻ⅢA区	对外开放	王凤丹	8“以下晶圆及碎片	365nm/404nm/435nm	0.8um	是	微纳结构与器件图形光刻
6	紫外双面光刻机	ELT2DLS01	东区光刻Ⅱ区(Canon)	对外开放	张笛	6“以下晶圆及碎片	LED i-line 365nm	0.8um	是	1、6“以下晶圆及碎片双面光刻图形化 2、图形最小分辨率可至0.8um 3、配合晶圆键合系统提供高精度键合晶圆及芯片对准。 4、可配套EVG-510键合机实现晶圆对准、定位功能。	1、样品需提前与工艺老师确认。 2、样品正面与背面均需要保持平整洁净。 3、材料费按片数量单独计价 4、正性光刻胶按1片/0.5h计算，如厚度超过20um另行计价。 5、SU-8光刻胶厚度超过10um按1片/1h计算。
7	高精度微喷墨打印系统	WPK1MNDS1	西区封装Ⅰ区	对外开放	张笛	10mm10mm-250mm250mm	无	≥30um	否	1. 平台移动范围: X轴300 mm，Y轴300 mm，Z轴60 mm； 2. 可放置基底尺寸为250mm*250mm； 3. 喷头自吸式供液方式 4. 最小可做线宽尺寸可优于30um； 5. 可打印溶剂黏度450cps以下； 6. 打印微结构为非离散型，包括线和薄膜一次打印须为连续结构； 7. 打印液滴与基底无撞击力，不会产生卫星点； 8. 可编辑打印图形：点阵列、连续性线、折线、圆弧、连续薄膜等； 9. 具备实时CCD视频采集监控系统；	1. 如需加工请与负责老师提前联系确认；2. 打印针头另计费用（也可自行购买或提供）
8	激光诱导深度刻蚀	ECS0LED01	东区化合物半导体区	对外开放	田苗	510mm*500mm	激光	10um	否	激光诱导
9	双光子三维微纳打印系统	ELT3MPO01	东区光刻ⅢA区	对外开放	徐丽萍	4寸，向下兼容碎片	522nm飞秒激光	100nm	否	使用双光子聚合（TPP）技术使光刻胶结构化，可用于微结构的3D光刻和3D微打印，应用于光学、光子学、力学和生物医学工程。	1.基底尺寸≤4-inch，厚度≤4cm； 2.样品特征尺寸≤500nm时，基底必须经过O2 plasma处理以增强粘附力； 3.用户需自行准备版图文件，支持版图文件格式：3D结构：.obj, .stl；灰度曝光：.bmp, .tif, .png。 4.单次工艺时长超过10小时，享受9折优惠；单次工艺时长超过30小时，享受8折优惠。
10	Vistec EBPG-5200电子束光刻系统	WPHVEBL01	西区光刻区	对外开放	徐剑	8"以下	电子束	8nm	否	大写场（1mmx1mm),大加速电压（100KV），大扫描速度（50Hz),大束流（0.1nA~100nA); 拼接精度：+/-12nm。	1 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察； 2. 仅限常规光刻胶厚度，厚胶工艺费用另计； 3. 特殊光刻胶费用另议。
11	SUSS MA6双面对准光刻机	WPHSMAL01	西区光刻区	对外开放	王凤丹	6"以下	紫外光350nm～450nm	0.8um	是	微纳结构与器件图形光刻。	1. 含匀胶、热板、HMDS烘箱、显影及普通显微镜观察； 2.特殊光刻胶费用另计； 3. 厚胶工艺另计； 4. 不含基片与掩膜版； 5. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片； 6. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。
12	SUSS MA6/BA6双面对准接触式紫外光刻机	EPHSMAL01	西区光刻区	对外开放	张笛	4"以下	紫外光350nm～450nm	0.8um	是	微纳结构与器件图形光刻。	1. 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察； 2. 特殊光刻胶费用另计； 3. 厚胶工艺另计； 4. 不含基片与掩膜版； 5. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片； 6. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。
13	ABM接触式掩膜紫外曝光机	EODAMAL01	东区COMD光刻区	对外开放	张笛	4"以下硅片及玻璃	220nm, 254nm, 365nm,	0.5um	否		1. 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察； 2. 特殊光刻胶费用另计； 3. 厚胶工艺另计； 4. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片； 5. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。半导体标准硅片或玻璃片； 6. 掩模版大小：5",7"。
14	双束聚焦离子束系统设备-ZEISS Auriga	WF1ZFIB01	西区薄膜I区	对外开放	王英	150mm以下	电子束、离子束	2.5nm	否	1. 在离子束或电子束诱导下可控沉积Pt、W、C、SiO2薄膜或纳米图形； 2. 在离子束或电子束诱导下可控增加或选择刻蚀(刻蚀辅助气体为：水或XeF2)； 3. 纳米级图形沉积或纳米级图形切割； 4. 半导体集成电路器件与芯片电路修复； 5. 半导体集成电路器件与芯片失效分析（定点剖面切割）； 6. TEM（透射电镜）样品制备； 7. 通过原位切割同步SEM成像，获得微纳米尺度的器件、结构或材料的三维图像； 8. 原子探针针尖加工与修整； 9. 器件两极电学特性测试； 10. 原位元素EDX能谱分析。
15	Eitre-6 纳米压印机	WPHNILE01	西区光刻区	对外开放	徐丽萍	6寸，向下兼容至10mm破片	365nm	小于20nm	否	用于实现微纳图形结构制备，可以使用热压印、UV压印以及热和UV同时压印（STU ™）。	1.不含压印母模及其抗黏处理工艺（母模加工可采用平台电子束直写曝光系统）; 2.一个完整的压印过程包含(1)IPS子模复制和(2)衬底压印，IPS子模复制需在衬底压印前完成。

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