光刻图形化设备

序号设备名称设备编号设备放置地点设备状态工艺工程师基片尺寸光源分辨率是否双面对准设备功能备注
1Vistec EBPG-5200电子束光刻系统WPHVEBL01西区光刻区对外开放徐剑8"以下电子束8nm否大写场（1mmx1mm),大加速电压（100KV），大扫描速度（50Hz),大束流（0.1nA~100nA); 拼接精度：+/-12nm。1 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察；
2. 仅限常规光刻胶厚度，厚胶工艺费用另计；
3. 特殊光刻胶费用另议。
2SUSS MA6双面对准光刻机WPHSMAL01西区光刻区对外开放王凤丹6"以下紫外光350nm～450nm0.8um是微纳结构与器件图形光刻。1. 含匀胶、热板、HMDS烘箱、显影及普通显微镜观察；
2.特殊光刻胶费用另计；
3. 厚胶工艺另计；
4. 不含基片与掩膜版；
5. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片；
6. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。
3SUSS MA6/BA6双面对准接触式紫外光刻机EPHSMAL01西区光刻区对外开放张笛4"以下紫外光350nm～450nm0.8um是 微纳结构与器件图形光刻。
1. 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察；
2. 特殊光刻胶费用另计；
3. 厚胶工艺另计；
4. 不含基片与掩膜版；
5. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片；
6. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。
4ABM接触式掩膜紫外曝光机EODAMAL01东区COMD光刻区对外开放张笛4"以下硅片及玻璃220nm, 254nm, 365nm,0.5um否1. 含匀胶、热板、显影及普通显微镜观察；
2. 特殊光刻胶费用另计；
3. 厚胶工艺另计；
4. 玻璃或石英等透明基片，另增加光刻费用50元/片；
5. 对胶片掩模版，需要贴加专用光刻玻璃基板：4"&5"版 100元/片。半导体标准硅片或玻璃片；
6. 掩模版大小：5",7"。
5双束聚焦离子束系统设备-ZEISS AurigaWF1ZFIB01西区薄膜I区对外开放王英150mm以下电子束、离子束2.5nm否1. 在离子束或电子束诱导下可控沉积Pt、W、C、SiO2薄膜或纳米图形；
2. 在离子束或电子束诱导下可控增加或选择刻蚀(刻蚀辅助气体为：水或XeF2)；
3. 纳米级图形沉积或纳米级图形切割；
4. 半导体集成电路器件与芯片电路修复；
5. 半导体集成电路器件与芯片失效分析（定点剖面切割）；
6. TEM（透射电镜）样品制备；
7. 通过原位切割同步SEM成像，获得微纳米尺度的器件、结构或材料的三维图像；
8. 原子探针针尖加工与修整；
9. 器件两极电学特性测试；
10. 原位元素EDX能谱分析。
6Eitre-6 纳米压印机WPHNILE01西区光刻区对外开放徐丽萍6寸，向下兼容至10mm破片365nm小于20nm否用于实现微纳图形结构制备，可以使用热压印、UV压印以及热和UV同时压印（STU ™）。1.不含压印母模及其抗黏处理工艺（母模加工可采用平台电子束直写曝光系统）;
2.一个完整的压印过程包含(1)IPS子模复制和(2)衬底压印，IPS子模复制需在衬底压印前完成。