薄膜沉积设备

序号	设备名称	设备编号	设备放置地点	设备状态	工艺工程师	设备功能	温度范围	送样须知及注意事项	备注
1	维开双腔电子束蒸发镀膜系统	EFM3EBE01	东区薄膜III区	正常	付学成	满足常温条件下沉积高质量、厚度精确可控制的金属单质(尤其是难熔的Pt、Pd等贵金属)及化合物等多种薄膜，例如Cr、Cu、Ni、Al、Y、Ti、Pt、Pd等		1.支持8英寸及以下的样品加工；样品厚度不要超过5mm 2.不支持不导电的样品；接受常见的金属材料 3.支持蒸镀难熔的Pt、Pd贵金属薄膜的蒸镀 4.支持带光刻胶样品，满足剥离工艺的需求 5.不支持原位加热，设备具备卤钨灯烘烤除湿功能，不用来对样品加热 6.对于要求倾斜蒸镀的需求，需要自备工件夹具。	1.贵金属Pt、Pd需要额外收费：铂（Pt）、钯（Pd） 1000元/100nm 2. 提倡多人共同实验均摊（自带符合机台要求纯度贵金属颗粒，可以免除贵金属收费）
2	维开多靶磁控溅射镀膜系统	EFM3MMS01	东区薄膜III区	正常	付学成	常温、高温条件下均可沉积高质量、厚度精确可控制的金属单质及氧化物半导体、化合物等多种薄膜，例如Cr、Cu、Ni、Al、Ge、Ti、Pt、Ta、SiO2、MO、W、ITO、TiNx等金属单质、氧化物、氮化物薄膜，同时可满足在高深宽比硅孔内沉积金属种子层等		1.支持8英寸及以下的样品加工；厚度不要超过1cm 2.支持溅射沉积多种类金属薄膜；制备复合薄膜推荐合金靶材 支持反应溅射沉积多种氧化物、氮化物薄膜；变价化合物推荐自备化合物靶材 3.具备强磁靶，可以溅射磁性材料；自备靶材 4.可实现原位基片清洗、多层复合薄膜、多靶共溅复合薄膜沉积 5.工件台具备500℃以下加热功能 ，适合做原位加热制备半导体薄膜材料；衬底导热要好	如果需要工件台加热，，需要等到温度下降到100℃以下才能取出。真空条件下降温缓慢，需要更多机时。
3	维开电阻热蒸发镀膜系统	EFM3RHE01	东区薄膜III区	正常	付学成	满足常温条件下沉积高质量的金膜、满足蒸镀SiO2、MgF2、WO3、ZnS等化合物薄膜 、满足蒸镀500nm以下高质量的薄膜		1.支持8英寸及以下的样品加工；样品厚度不要超过5mm 2.不支持高熔点的样品材料；Ta、W、C等 3.不支持易分解的化合物样品 4.不支持蒸镀有毒的粉末样品 5.不支持原位加热功能 6.对于要求倾斜蒸镀的需求，需要自备工件夹具 7.坩埚容积有限、蒸镀薄膜的厚度通常不超过500nm 8.蒸镀金等贵金属建议自备黄金颗粒，蒸镀后可以取走自己保存	金额外收费、2500元/100nm，提倡多人共同实验均摊（自带金颗粒，可以免除贵金属收费）
4	Intlvac离子束溅射辅助沉积系统	EFM4IBS01	东区薄膜IV区	正常	付学成	满足常温和加热两种条件下沉积高质量光学薄膜、介质薄膜		1.支持6英寸及以下的样品加工；样品厚度不要超过1mm 2.不支持溅射金属 3.不支持带光刻胶溅射，不能满足剥离工艺	如果需要工件台加热，，需要等到温度下降到100℃以下才能取出。真空条件下降温缓慢，需要更多机时。
5	等离子辅助原子层沉积系统（金属）	EFM4ALD01	薄膜IV区	正常	乌李瑛	本设备具有热法和等离子增强法两种沉积模式，主要用于沉积超薄、均匀性好、高保形性的金属薄膜（如Cu、TiN，Ru等）。可采用ICP电感耦合等离子辅助技术，在低功率（不损坏衬底）下制备高质量金属薄膜，适用于TSV通孔及深沟槽器件的镀膜。同时，本设备也可以沉积氧化物、氮化物介质薄膜（但这台设备因为考虑到交叉污染等原因主要用于沉积金属）。	80-450℃	禁止粉末样品，样品表面干净	样品尺寸小于8英寸，样品保持洁净，不接受粉末，不接受带污染的样品（如可挥发有机物，光刻胶等）
6	有机物化学气相沉积系统（单分子层表面改性）	EFM4MVD01	薄膜IV区	正常	乌李瑛	1.可在气相环境中对硅片、玻璃片等半导体兼容和生物兼容的衬底基片的高深宽结构进行表面修饰改性，获得非常均一且单一分子层薄膜的疏水表面、亲水表面和特定官能团功能性表面，以进行相关的半导体实验和生物化学。 2. 可与纳米压印光刻设备配套使用，提高纳米压印表面脱模质量，进一步提高纳米压印设备的图形加工能力。 3. 为全功能表面改性系统，可执行ALD（原子层沉积）、CVD（化学气相沉积）及SAM（自组装分子层沉积）等多种沉积方式	40-60℃	1.禁止粉末样品，样品可以带胶沉积； 2.腔体较大，对样品高度限制小，可以为立体的样品，样品材质不限，只要<15cm即可 3. 如有除预约系统上的其他原材料的改性需求，可以联系工程师讨论 4. 设备上线优惠期间，总价打6折
7	Oxford等离子体增强化学气相沉积系统	WF2OCVD01	西区薄膜II区	对外开放	刘民	1. 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜沉积； 2. 碳化硅薄膜沉积。	~ 400℃	不接受耐高温性差的样品（如含光刻胶的样品），不接受带污染的样品。
8	Parylene沉积系统	EW1PDSS01	东区薄膜Ⅳ区	对外开放	付学成	满足沉积聚对二甲苯（Parylene）的C、D、N、F不同类型的薄膜材料，沉积厚度500nm-100um、4英寸非均匀性±5%，沉积速度5um/h	20-30℃	6英寸以下的干净硅片、玻璃、石英、陶瓷衬底均可	设备实验周期长，完成一个实验周期需要8小时左右。一般早上进样品，下午取出。
9	电感耦合等离子体化学气相沉积设备	WF2PCVD01	西区薄膜II区	对外开放	付学成	低温沉积二氧化硅，氮化硅薄膜。	<70℃或<300℃	样品尺寸不大于6英寸。
10	Denton电子束蒸发镀膜设备（E-Gun）	WF1DEGN01	西区薄膜I区	对外开放	付学成	1. 蒸发沉积各类金属薄膜； 2. 蒸发沉积氧化硅薄膜； 3. 可实现+/-45度的斜角蒸发。	22℃-200℃	样品尺寸小于8英寸；不接受铂金厚膜（100nm以上），不接受在微小颗粒（毫米级以下）样品上镀膜；不接受钼、钨等高熔点、高污染金属镀膜；不接受蒸镀氧化物膜；不接受磁性材料（Fe\Ni）厚膜（大于200nm）。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm；低于50nm按照50nm收费； 3. 易产生颗粒污染，需要额外清腔。
11	Denton多靶磁控溅射镀膜系统	WF1DMSP01	西区薄膜I区	对外开放	付学成	1. 溅射沉积各类金属、氧化物、氮化物薄膜； 2. 可实现原位基片清洗、多层复合薄膜、多靶共溅复合薄膜沉积； 3. 原位基片加热（250℃）。	22℃—60℃	不接受过于潮湿的样品（厚胶3微米以上）；不接受溅射磁性材料（Fe\Ni）样品；不接受大于6英寸样品；不接受在微小颗粒（毫米级以下）样品上镀膜。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm；低于50nm按照50nm收费； 3. 易产生颗粒污染，需要额外清腔。
12	等离子体增强原子层沉积设备	WF1BALD01	西区薄膜I区	对外开放	乌李瑛	沉积多种超薄高保形性、高台阶覆盖能力的介质薄膜材料，厚度可实现原子层的控制。	室温〜500°C	样品尺寸小于8英寸，不接受粉末或带污染的样品。沉积较慢，厚膜需要较长时间。	最低0.5小时起算。
13	Ulvac超高真空溅射系统	EMCUUVS01	西区封装一区	对外开放	毛海平	溅射沉积Pd、Zr、Al、Cu等各种纳米级单层或多层纳米厚度膜（通常低于50nm)。	烘烤温度≤300℃	3英寸以下衬底；不接受有胶沉积薄膜；不接受氧气氛围反应溅射。	1. 设备费最低0.5小时起算； 2. 设备抽真空时间不计。
14	LH-Z550溅射系统	EMCL55001	东区主大厅	已报废	毛海平	只接受Cr\Cu\Au\Pt薄膜溅射。	烘烤温度≤300℃	3英寸为主。	1. 最低0.5小时起算； 2. 此价格为1炉13片的价格； 3. 贵金属材料费另计： Pt 60元/10nm/片。
15	ADVANCED离子束溅射系统	EMCAIBD01	西区薄膜I区	对外开放	毛海平	1. 沉积各类金属薄膜； 2. 磁性材料沉积需与平台联系确认。	靶面温度≤100℃,台面温度5℃－25℃	4英寸以下厚度在4毫米以下衬底；均匀性±5%；可以接受磁性材料溅射。	1. 最低4小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm； 3.不做超过300纳米厚膜。
16	SYSKEY全自动多靶溅镀系统	EODSMSP01	东区COMD大厅	暂停开放	毛海平	沉积以ITO\ZAO\IWO等氧化物半导体薄膜为主。	基板加热系统:≤300℃	样品尺寸小于3英寸。	1. 最低0.5小时起算； 2. 自带靶材自操作：350元/小时。
17	北仪电子束蒸发系统	EODBEGN01	东区COMD大厅	设备维护	毛海平	蒸镀铝、铜、银、钽等薄膜。	烘烤温度≤300℃	尺寸小于6英寸。	1. 最低0.5小时起算； 2. 贵金属材料费另计：Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm； 3. 偏磁性材料，需要保养设备，不做超过1微米厚膜。
18	OLED器件实验制备系统	EODJODS01	东区COMD大厅	设备维护	毛海平	金属Al的蒸镀。	烘烤温度≤200℃	以小尺寸（3*3厘米样品为主）。	1. 最低0.5小时起算； 2. 自带材料自操作：250元/小时。
19	LPCVD（氮化硅薄膜沉积）	WDFSLPF02	西区炉管区	对外开放	李进喜	氮化硅薄膜的低压化学气相沉积（LPCVD)；低应力氮化硅薄膜沉积。	>700度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。
20	LPCVD（非晶/多晶硅沉积）	WDFSLPF01	西区炉管区	对外开放	李进喜	多晶硅以及非晶硅薄膜的低压化学气相沉积（LPCVD)	>500度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。
21	氧化炉（干氧/湿氧）	WDFSOXD03	西区炉管区	对外开放	李进喜	干氧或湿氧方式的二氧化硅炉管工艺（常压炉管方式）	1100度	3,4,6寸标准硅片；前道硅片（不含任何光刻胶，金属薄膜，严禁污染设备）。	1. 样品须为整片硅片； 2.若不是全新硅片， 务必提前联系确认能否加工； 3.批量作业的炉管，若只是加工少许或单片，务必提前沟通。