薄膜沉积设备

序号设备名称设备编号设备放置地点设备状态工艺工程师设备功能温度范围送样须知及注意事项备注
1Oxford等离子体增强化学气相沉积系统WF2OCVD01西区薄膜II区对外开放(除氮化硅)刘民1. 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜沉积; 2. 碳化硅薄膜沉积。~ 400℃不接受耐高温性差的样品(如含光刻胶的样品),不接受带污染的样品。
2电感耦合等离子体化学气相沉积设备WF2PCVD01西区薄膜II区对外开放付学成低温沉积二氧化硅,氮化硅薄膜。<70℃或<300℃样品尺寸不大于6英寸。
3Denton电子束蒸发镀膜设备(E-Gun)WF1DEGN01西区薄膜I区对外开放付学成1. 蒸发沉积各类金属薄膜; 2. 蒸发沉积氧化硅薄膜; 3. 可实现+/-45度的斜角蒸发。22℃-200℃样品尺寸小于8英寸;不接受铂金厚膜(100nm以上),不接受在微小颗粒(毫米级以下)样品上镀膜;不接受钼、钨等高熔点、高污染金属镀膜;不接受蒸镀氧化物膜;不接受磁性材料(Fe\Ni)厚膜(大于200nm)。1. 最低0.5小时起算;
2. 贵金属材料费另计:Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm;低于50nm按照50nm收费;
3. 易产生颗粒污染,需要额外清腔。
4Denton多靶磁控溅射镀膜系统WF1DMSP01西区薄膜I区对外开放付学成1. 溅射沉积各类金属、氧化物、氮化物、PZT薄膜;
2. 可实现原位基片清洗、多层复合薄膜、多靶共溅复合薄膜沉积;
3. 原位基片加热(250℃)。
22℃—60℃不接受过于潮湿的样品(厚胶3微米以上);不接受溅射磁性材料(Fe\Ni)样品;不接受大于6英寸样品;不接受在微小颗粒(毫米级以下)样品上镀膜。1. 最低0.5小时起算;
2. 贵金属材料费另计:Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm;低于50nm按照50nm收费;
3. 易产生颗粒污染,需要额外清腔。
5等离子体增强原子层沉积设备WF1BALD01西区薄膜I区对外开放乌李瑛沉积多种超薄高保形性、高台阶覆盖能力的介质薄膜材料,厚度可实现原子层的控制。室温〜500°C样品尺寸小于8英寸,不接受粉末或带污染的样品。沉积较慢,厚膜需要较长时间。最低0.5小时起算。
6Ulvac超高真空溅射系统EMCUUVS01东区主大厅对外开放毛海平溅射沉积Pd、Ti、Zr、Ta、Al、Cu、W、 NiFe、FeMn,、CoFeS等各种纳米级单层或多层纳米厚度膜(通常低于50nm)。烘烤温度≤300℃3英寸以下衬底;不接受有胶沉积薄膜;不接受氧气氛围反应溅射。1. 设备费最低0.5小时起算;
2. 设备抽真空时间不计。
7LH-Z550溅射系统EMCL55001东区主大厅待报废毛海平只接受Cr\Cu\Au\Pt薄膜溅射。烘烤温度≤300℃3英寸为主。1. 最低0.5小时起算;
2. 此价格为1炉13片的价格;
3. 贵金属材料费另计: Pt 60元/10nm/片。
8ADVANCED离子束溅射系统EMCAIBD01东区主大厅对外开放毛海平1. 沉积各类金属薄膜;
2. 磁性材料沉积需与平台联系确认。
靶面温度≤100℃,台面温度5℃-25℃3英寸以下厚度在4毫米以下衬底;均匀性要求不高±10%);可以接受磁性材料溅射。1. 最低0.5小时起算;
2. 贵金属材料费另计:Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm;
3.偏磁性材料,需要保养设备,不做超过1微米厚膜。
9SYSKEY全自动多靶溅镀系统EODSMSP01东区COMD大厅对外开放毛海平沉积以ITO\ZAO\IWO等氧化物半导体薄膜为主。基板加热系统:≤300℃样品尺寸小于3英寸。1. 最低0.5小时起算;
2. 自带靶材自操作:350元/小时。
10北仪电子束蒸发系统EODBEGN01东区COMD大厅设备维护毛海平 蒸镀铝、铜、银、钽等薄膜。烘烤温度≤300℃尺寸小于6英寸。1. 最低0.5小时起算;
2. 贵金属材料费另计:Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm;
3. 偏磁性材料,需要保养设备,不做超过1微米厚膜。
11OLED器件实验制备系统EODJODS01东区COMD大厅对外开放毛海平金属Al的蒸镀。烘烤温度≤200℃以小尺寸(3*3厘米样品为主)。1. 最低0.5小时起算;
2. 自带材料自操作:250元/小时。
12LPCVD(氮化硅薄膜沉积)WDFSLPF02西区炉管区 对外开放李进喜氮化硅薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD);低应力氮化硅薄膜沉积。>700度3,4,6寸标准硅片;前道硅片(不含任何光刻胶,金属薄膜,严禁污染设备)。1. 样品须为整片硅片;
2.若不是全新硅片, 务必提前联系确认能否加工;
3.批量作业的炉管,若只是加工少许或单片,务必提前沟通。
13LPCVD(非晶/多晶硅沉积)WDFSLPF01西区炉管区 对外开放李进喜多晶硅以及非晶硅薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD)>500度3,4,6寸标准硅片;前道硅片(不含任何光刻胶,金属薄膜,严禁污染设备)。1. 样品须为整片硅片;
2.若不是全新硅片, 务必提前联系确认能否加工;
3.批量作业的炉管,若只是加工少许或单片,务必提前沟通。
14氧化炉(干氧/湿氧)WDFSOXD03 西区炉管区 对外开放李进喜干氧或湿氧方式的二氧化硅炉管工艺(常压炉管方式)1100度3,4,6寸标准硅片;前道硅片(不含任何光刻胶,金属薄膜,严禁污染设备)。1. 样品须为整片硅片;
2.若不是全新硅片, 务必提前联系确认能否加工;
3.批量作业的炉管,若只是加工少许或单片,务必提前沟通。