• 薄膜沉积设备

序号 设备名称 设备编号 设备放置地点 设备状态 工艺工程师 设备功能 温度范围 送样须知及注意事项 备注
1 Oxford等离子体增强化学气相沉积系统 WF2OCVD01 西区薄膜II区 对外开放 刘民 1. 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜沉积; 2. 碳化硅薄膜沉积。 ~ 400℃ 不接受耐高温性差的样品(如含光刻胶的样品),不接受带污染的样品。
2 电感耦合等离子体化学气相沉积设备 WF2PCVD01 西区薄膜II区 对外开放 付学成 低温沉积二氧化硅,氮化硅薄膜 <70℃或<300℃ 样品尺寸不大于6英寸
3 Denton电子束蒸发镀膜设备(E-Gun) WF1DEGN01 西区薄膜I区 对外开放 付学成 1. 蒸发沉积各类金属薄膜; 2. 蒸发沉积氧化硅薄膜; 3. 可实现+/-45度的斜角蒸发。 22℃-200℃ 样品尺寸小于8英寸。不接受铂金厚膜(100nm以上),不接受在微小颗粒(毫米级以下)样品上镀膜。不接受钼、钨等高熔点、高污染金属镀膜。不接受蒸镀氧化物膜。不接受磁性材料(Fe\Ni)厚膜(大于200nm)。 1. 最低0.5小时起算;

2. 贵金属材料费另计:Au 50元/10nm,Pd 40元/10nm, Pt 50元/10nm;低于50nm按照50nm收费;

3. 易产生颗粒污染,需要额外清腔;

4 Denton多靶磁控溅射镀膜系统 WF1DMSP01 西区薄膜I区 对外开放 付学成 1. 溅射沉积各类金属、氧化物、氮化物、PZT薄膜;
2. 可实现原位基片清洗、多层复合薄膜、多靶共溅复合薄膜沉积;
3. 原位基片加热(250℃)。
22℃—60℃ 不接受过于潮湿的样品(厚胶3微米以上),不接受溅射磁性材料(Fe\Ni)样品。不接受大于6英寸样品。不接受在微小颗粒(毫米级以下)样品上镀膜。
5 Beneq热型/等离子增强型原子层沉积设备 WF1BALD01 西区薄膜I区 对外开放 乌李瑛 沉积多种超薄高保形性、高台阶覆盖能力的介质薄膜材料,厚度可实现原子层的控制。 室温〜500°C 样品尺寸小于8英寸,不接受粉末或带污染的样品。沉积较慢,厚膜需要较长时间 最低0.5小时起算
6 Ulvac超高真空溅射系统 EMCUUVS01 东区主大厅 对外开放 毛海平 溅射沉积Pd、Ti、Zr、Ta、Al、Cu、W、 NiFe、FeMn,、CoFeS等各种纳米级单层或多层纳米厚度膜(通常低于50nm)。 烘烤温度≤300℃ 3英寸衬底以下,不接受有胶沉积薄膜。不接受氧气氛围反应溅射。 1. 设备费最低0.5小时起算;
2. 设备抽真空时间不计。
7 LH-Z550溅射系统 EMCL55001 东区主大厅 待报废 毛海平 只接受Cr\Cu\Au\Pt薄膜溅射 烘烤温度≤300℃ 3英寸为主 1. 最低0.5小时起算; 2. 此价格为1炉13片的价格; 3. 贵金属材料费另计: Pt 60元/10nm/片.
8 ADVANCED离子束溅射系统 EMCAIBD01 东区主大厅 对外开放 毛海平 1. 沉积各类金属薄膜;
2. 磁性材料沉积需与平台联系确认。
靶面温度≤100℃,台面温度5℃-25℃ 3英寸以下厚度在4毫米以下衬底,均匀性要求不高±10%)。可以接受磁性材料溅射。 1. 最低0.5小时起算;
2. 贵金属材料费另计:Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm;
3.偏磁性材料,需要保养设备,不做超过1微米厚膜。
9 SYSKEY全自动多靶溅镀系统 EODSMSP01 东区COMD大厅 对外开放 毛海平 沉积以ITO\ZAO\IWO等氧化物半导体薄膜为主 基板加热系统:≤300℃ 样品尺寸小于3英寸 1. 最低0.5小时起算。
2. 自带靶材自操作:350元/小时
10 北仪电子束蒸发系统 EODBEGN01 东区COMD大厅 设备维护 毛海平 蒸镀铝、铜、银、钽等薄膜, 烘烤温度≤300℃ 尺寸小于6英寸 1. 最低0.5小时起算; 2. 贵金属材料费另计:Au40元/10nm,Pd 30元/10nm, Pt 40nm/10nm; 3. 偏磁性材料,需要保养设备,不做超过1微米厚膜。
11 OLED器件实验制备系统 EODJODS01 东区COMD大厅 对外开放 毛海平 金属Al的蒸镀 烘烤温度≤200℃ 以小尺寸(3*3厘米样品为主) 1. 最低0.5小时起算。
2. 自带材料自操作:250元/小时
12 LPCVD(氮化硅薄膜沉积) WDFSLPF02 西区炉管区 对外开放 李进喜 氮化硅薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD);低应力氮化硅薄膜沉积 >700度 3,4,6寸标准硅片,前道硅片(不含任何光刻胶,金属薄膜,严禁污染设备) 1. 样品须为整片硅片
2.若不是全新硅片, 务必提前联系确认能否加工
3.批量作业的炉管,若只是加工少许或单片,务必提前沟通。
13 LPCVD(非晶/多晶硅沉积) WDFSLPF01 西区炉管区 对外开放 李进喜 多晶硅以及非晶硅薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD) >500度
14 氧化炉(干氧/湿氧) WDFSOXD03 西区炉管区 对外开放 李进喜 干氧或湿氧方式的二氧化硅炉管工艺(常压炉管方式) 1100度