热加工设备

序号	设备名称	设备编号	设备放置地点	设备状态	工艺工程师	温度范围	设备功能	送样须知
1	硼扩散炉（P型掺杂）	WDFSOXD01	西区炉管区	暂停开放	李进喜	500-1200℃	1. 硼预扩散； 2. 硼扩散推进退火。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
2	磷扩散炉（N型掺杂）	WDFSOXD02	西区炉管区	暂停开放	李进喜	500-1200℃	1. 磷预扩散； 2. 磷扩散推进退火。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
3	氧化炉（干氧/湿氧）	WDFSOXD03	西区炉管区	对外开放	李进喜	500-1200℃	1. 高品质氧化硅的干氧氧化； 2. 超厚氧化硅的湿氧氧化。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
4	LPCVD（非晶/多晶硅沉积）	WDFSLPF01	西区炉管区	对外开放	李进喜	700-900℃	1. 高品质非晶硅或多晶硅沉积； 2. 非晶硅及多晶硅沉积时的同步N型掺杂。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
5	LPCVD（氮化硅薄膜沉积）	WDFSLPF02	西区炉管区	对外开放	李进喜	700-900℃	1. 普通高品质氮化硅（Si3N4)薄膜沉积； 2. 高品质低应力氮化硅（Si3N4)薄膜沉积； 3. 氮氧化硅薄膜沉积。	3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。
6	马弗炉	WDFTHTA01	西区炉管区	对外开放	李进喜	100-1200℃	氮化保护高温退火。	前段样品（无光刻胶，无任何金属膜层)。
7	Premtek快速热退火炉	WDFJRTP01	西区炉管区	对外开放	李进喜	RT~1200℃	升温速度：40℃/Sec；降温方式：水冷和气冷，平均70℃/Min； 工作气体： PN2, Ar (适用于常规退火、金属硅化、合金化等）。	基片：6"*1，4"*1，3"*4,2"*9。
8	Premtek快速热氧化/氮化炉（限制级）	WDFJRTO01	西区炉管区	对外开放	李进喜	RT~1200℃	1.升温速度：40℃/Sec；降温方式：水冷和气冷，平均70℃/Min； 2. 工作气体： PN2,Ar,O2,NH3； 3. 可抽真空退火。	严禁金属入内；基片：6"*1，4"*1，3"*4,2"*9。
9	RTP-300快速热处理炉	EMCDRTP01	东区主大厅	暂停开放	毛海平	RT~700℃	温度误差±10℃。	4英寸以下样品，厚度不超过1毫米。