AEMD平台将举行“原子层沉积（ALD）技术及其应用讲座”，欢迎各位师生参加，谢谢！
时间：2013年11月29日（周五）下午3:00
地点：上海交通大学.微电子大楼.401会议室 (凯旋门西侧楼）
主题：Introduction to Atomic Layer Deposition technology and it’s applications
主讲人：芬兰PICOSUN公司黎微明博士，Picosun公司应用总监，18年的ALD经验。
ALD技术背景介绍：
ALD技术于1974年由芬兰PICOSUN公司的董事Dr. Tuomo Suntola教授发明，到现在该技术已有40年的历史，国外已经实现产业化，比如英特尔公司研发的45纳米芯片、32纳米芯片中的high-k介电薄膜。 由于该发明及其在ALD研究方面的杰出贡献，Dr. Tuomo Suntola教授在2004年荣获欧洲SEMI奖。
芬兰PICOSUN公司黎微明博士介绍：
Dr. Wei-Min Li graduated as a M. Sc. in Chemistry in 1994 and received his PhD in Chemistry in 2000 from the University of Helsinki In Finland.
He started work with ALD technology over eighteen years ago and has gained experiences in thin film materials, processes and equipment for a wide range of applications in semiconductor, CMOS image sensor, flat panel display, photovoltaic industries and so on.
He joined ASM Microchemistry Ltd. in 2000 as a Senior Process Engineer for R&D of ALD technology. In 2006, he joined Silecs Oy and worked on process and development of siloxane polymers. He has held multiple managerial roles in process/application management, sales and marketing, product platform development and project management. With Picosun he holds the position of Applications Manager with emphasis on industrial applications of ALD technology.
He is an author of more than 30 publications and an inventor of more than 10 patents /applications in the field of ALD.
ALD技术发展到现在，主要的一些应用见下表：
| 应用 | 优点 | 适合的材料举例 |
|---|---|---|
| 介电及绝缘层 | 在大尺寸基片上的致密, 无孔洞缺陷,高 同质性和厚度均匀性的薄膜. 高介电性和低漏电流薄膜. 精确的膜厚控制. | Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5, RE2O3 perovskites, SiOx, SiNx, oxynitrides, silicates |
| 扩散势垒层及钝化层 | nm 级的致密的, 无孔洞缺陷的, 高同质性的离子和金属原子扩散阻挡层, 材料表面的防水汽和腐蚀性气体的保护层. | TiN, TaN, MoN, Al2O3, WN, WNxCy |
| 改性的催化剂载体 | 在结构复杂的多孔粉末材料表面上的均匀覆盖保护层. 特定表面的控制性生产. | Oxidised overlayers of Zr, Ti, Cr, Ce, Mn, La, Cu, Mg, Co, Ni, Mo |
| 电致发光显示器中的发光层 | 高的结构稳定性, 无退化. 单个工艺即具备的钝化能力. 原子级控制的掺杂和组份. | ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce |
| 半导体激光二极管和LEDs | 在低温下的高的化学计量同质性和结晶度.精确的膜厚及成份控制. | GaAs, AlAs, GaN, InAs, InN, GaP, ZnTe, ZnSe, ZnS |
| 光滤波材料 | 高的多层膜制备能力. 具备众多不同折射系数的可与ALD工艺匹配的材料. | ZnS, Al2O3 |
| 透明导电层和金属导体 | 原子级可控的掺杂 | In2O3:Sn, SnO2:Sb, ZnO:Al Cu, Ni, Ru, Pt, Ir, Pd |
| 气体传感器 | 确保高灵敏度的多孔载体的均匀覆盖及性能稳定化. | SnO2 on PSi |
| 催化剂材料 | 高扩散性及活性. | V2O5/TiO2/SiO2 |
| 纳米结构 | 纳米管, 纳米线, 多孔基体, 生物基体的均匀覆镀. | Al2O3, TiO2 etc. |
| 太阳能电池 | Si基太阳能电池， CIGS, GeTe, DSSC… | Si基太阳能电池: Al2O3 CIGS: ZnO, ZnMgO, AZO, CdS, InS, Mo,… |
