热加工设备
| 序号 | 设备名称 | 设备编号 | 设备放置地点 | 设备状态 | 工艺工程师 | 温度范围 | 设备功能 | 送样须知 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 硼扩散炉（P型掺杂） | WDFSOXD01 | 西区炉管区 | 暂停开放 | 李进喜 | 500-1200℃ | 1. 硼预扩散； 2. 硼扩散推进退火。 | 3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。 |
| 2 | 磷扩散炉（N型掺杂） | WDFSOXD02 | 西区炉管区 | 暂停开放 | 李进喜 | 500-1200℃ | 1. 磷预扩散； 2. 磷扩散推进退火。 | 3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。 |
| 3 | 氧化炉（干氧/湿氧） | WDFSOXD03 | 西区炉管区 | 对外开放 | 李进喜 | 500-1200℃ | 1. 高品质氧化硅的干氧氧化； 2. 超厚氧化硅的湿氧氧化。 | 3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。 |
| 4 | LPCVD（非晶/多晶硅沉积） | WDFSLPF01 | 西区炉管区 | 对外开放 | 李进喜 | 700-900℃ | 1. 高品质非晶硅或多晶硅沉积； 2. 非晶硅及多晶硅沉积时的同步N型掺杂。 | 3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。 |
| 5 | LPCVD（氮化硅薄膜沉积） | WDFSLPF02 | 西区炉管区 | 对外开放 | 李进喜 | 700-900℃ | 1. 普通高品质氮化硅（Si3N4)薄膜沉积； 2. 高品质低应力氮化硅（Si3N4)薄膜沉积； 3. 氮氧化硅薄膜沉积。 | 3~6寸硅片（圆片）；禁止后道硅片进入。 |
| 6 | 马弗炉 | WDFTHTA01 | 西区炉管区 | 对外开放 | 李进喜 | 100-1200℃ | 氮化保护高温退火。 | 前段样品（无光刻胶，无任何金属膜层)。 |
| 7 | Premtek快速热退火炉 | WDFJRTP01 | 西区炉管区 | 对外开放 | 李进喜 | RT~1200℃ | 升温速度：40℃/Sec；降温方式：水冷和气冷，平均70℃/Min； 工作气体： PN2, Ar (适用于常规退火、金属硅化、合金化等）。 | 基片：6"*1，4"*1，3"*4,2"*9。 |
| 8 | Premtek快速热氧化/氮化炉（限制级） | WDFJRTO01 | 西区炉管区 | 对外开放 | 李进喜 | RT~1200℃ | 1.升温速度：40℃/Sec；降温方式：水冷和气冷，平均70℃/Min； 2. 工作气体： PN2,Ar,O2,NH3； 3. 可抽真空退火。 | 严禁金属入内；基片：6"*1，4"*1，3"*4,2"*9。 |
| 9 | RTP-300快速热处理炉 | EMCDRTP01 | 东区主大厅 | 暂停开放 | 毛海平 | RT~700℃ | 温度误差±10℃。 | 4英寸以下样品，厚度不超过1毫米。 |
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