热加工设备

序号设备名称设备编号设备放置地点设备状态工艺工程师温度范围设备功能送样须知
1硼扩散炉(P型掺杂)WDFSOXD01西区炉管区对外开放李进喜500-1200℃1. 硼预扩散;
2. 硼扩散推进退火。
3~6寸硅片(圆片);禁止后道硅片进入。
2磷扩散炉(N型掺杂)WDFSOXD02西区炉管区对外开放李进喜500-1200℃1. 磷预扩散;
2. 磷扩散推进退火。
3~6寸硅片(圆片);禁止后道硅片进入。
3氧化炉(干氧/湿氧)WDFSOXD03西区炉管区对外开放李进喜500-1200℃1. 高品质氧化硅的干氧氧化;
2. 超厚氧化硅的湿氧氧化。
3~6寸硅片(圆片);禁止后道硅片进入。
4LPCVD(非晶/多晶硅沉积)WDFSLPF01西区炉管区对外开放李进喜700-900℃1. 高品质非晶硅或多晶硅沉积;
2. 非晶硅及多晶硅沉积时的同步N型掺杂。
3~6寸硅片(圆片);禁止后道硅片进入。
5LPCVD(氮化硅薄膜沉积)WDFSLPF02西区炉管区对外开放李进喜700-900℃1. 普通高品质氮化硅(Si3N4)薄膜沉积;
2. 高品质低应力氮化硅(Si3N4)薄膜沉积;
3. 氮氧化硅薄膜沉积。
3~6寸硅片(圆片);禁止后道硅片进入。
6马弗炉WDFTHTA01西区炉管区对外开放李进喜100-1200℃氮化保护高温退火。前段样品(无光刻胶,无任何金属膜层)。
7Premtek快速热退火炉WDFJRTP01西区炉管区对外开放李进喜RT~1200℃升温速度:40℃/Sec;降温方式:水冷和气冷,平均70℃/Min;
工作气体: PN2, Ar (适用于常规退火、金属硅化、合金化等)。
基片:6"*1,4"*1,3"*4,2"*9。
8Premtek快速热氧化/氮化炉(限制级)WDFJRTO01西区炉管区对外开放李进喜RT~1200℃1.升温速度:40℃/Sec;降温方式:水冷和气冷,平均70℃/Min;
2. 工作气体: PN2,Ar,O2,NH3;
3. 可抽真空退火。
严禁金属入内;基片:6"*1,4"*1,3"*4,2"*9。
9RTP-300快速热处理炉EMCDRTP01东区主大厅对外开放毛海平RT~700℃温度误差±10℃。4英寸以下样品,厚度不超过1毫米。