Oxford等离子体增强化学气相沉积系统
(Oxford PECVD system)
主要技术指标/Specifications:
- 气体种类:SiH4、NH3、N2O、CH4、CF4、PH3、B2H6等
Gas: SiH4、NH3、N2O、CH4、CF4、PH3、B2H6
- 射频电源 上电极:13.56MHz,300W
下电极:50kHz-460kHz,500W
RF Generator Top electrode: 13.56MHz, 300W
RF Bias: 50kHz-460kHz, 500W
- 工艺温度:最高到 400℃
Process temperature: top to 400℃
- 传送模式:自动Loadlock传送系统
Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system
主要用途/Applications:
介质薄膜沉积,包括SiO2、Si3N4、SiC、SiON、BSG、PSG、BPSG等。
Dielectric films including SiO2、Si3N4、SiC、SiON、BSG、PSG、BPSG.