氧化扩散

氧化工艺是将硅片在氧化环境中加热到900~1100度的高温，在硅片表面上生长一层均匀的介质薄膜。根据所用氧化剂的不同，氧化可分为水汽氧化、干氧氧化和湿氧氧化。

平台现有干氧/湿氧氧化炉管，可加工3英寸-6英寸圆片。

扩散工艺是在硅片表面掺杂三价或五价元素，控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度和PN结等。

平台现有磷扩散炉管和硼扩散炉管。

• 氧化扩散设备

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