氮化硅硅片（LPCVD）
- 备注：①氮化硅薄膜只能加工厚度小于400nm以下；②400nm以内的厚度，可以基于工艺需求进行定制厚度。
| 硅片尺寸 | 薄膜名称 | 硅片类型 | 厚度 | 生长方式 |
|---|---|---|---|---|
| 3寸 | Si3N4 | 单抛 | 50nm | 低压化学气相沉积 |
| 3寸 | Si3N4 | 单抛 | 100nm | 低压化学气相沉积 |
| 3寸 | Si3N4 | 单抛 | 150nm | 低压化学气相沉积 |
| 3寸 | Si3N4 | 单抛 | 200nm | 低压化学气相沉积 |
| 3寸 | Si3N4 | 单抛 | 250nm | 低压化学气相沉积 |
| 3寸 | Si3N4 | 单抛 | 300nm | 低压化学气相沉积 |
| 3寸 | Si3N4 | 单抛 | 350nm | 低压化学气相沉积 |
| 3寸 | Si3N4 | 单抛 | 400nm | 低压化学气相沉积 |
| 4寸 | Si3N4 | 单抛 | 50nm | 低压化学气相沉积 |
| 4寸 | Si3N4 | 单抛 | 100nm | 低压化学气相沉积 |
| 4寸 | Si3N4 | 单抛 | 150nm | 低压化学气相沉积 |
| 4寸 | Si3N4 | 单抛 | 200nm | 低压化学气相沉积 |
| 4寸 | Si3N4 | 单抛 | 250nm | 低压化学气相沉积 |
| 4寸 | Si3N4 | 单抛 | 300nm | 低压化学气相沉积 |
| 4寸 | Si3N4 | 单抛 | 350nm | 低压化学气相沉积 |
| 4寸 | Si3N4 | 单抛 | 400nm | 低压化学气相沉积 |