关于AEMD平台东区新设备等离子辅助原子层沉积系统(金属)开放通告
尊敬的各位用户老师、同学:
为了满足学校广大师生的科研需求,AEMD平台新购置的等离子辅助原子层沉积系统(金属)设备(设备编号:EFM4ALD01)已完成安装调试,工艺条件“导电TiN薄膜”即日起开放运行。各位用户老师、同学可在AEMD预约系统里预约使用,特此公告。
等离子辅助原子层沉积系统(金属)设备介绍:
主要用途:
本设备具有热法和等离子增强法两种沉积模式,主要用于沉积超薄、均匀性好、高保形性的金属薄膜。可采用ICP电感耦合等离子辅助技术,在低功率(不损坏衬底)下制备金属薄膜、TSV通孔及深沟槽器件薄膜等。同时,也可以沉积氧化物、氮化物介质薄膜(但这台设备因为考虑到交叉污染等原因主要用于沉积金属)。
设备工作原理简介:
原子层沉积是一种特殊的化学气相沉积技术,通过将气相前驱体交替地通入反应室,并在基底表面发生化学吸附和反应,形成原子级别的薄膜。
原子层沉积技术具有以下关键特性:
- 自限制生长:每次反应只发生在单层原子上,确保薄膜的厚度和组成可控。
- 优异的三维保型性:能够在复杂形状的基底上均匀沉积薄膜。
- 大面积均匀性:能够在较大的基底面积上实现均匀的薄膜沉积。
- 低温生长:适用于在低温下进行薄膜沉积,适用于某些敏感材料的处理
工艺能力:
- 可沉积TiN、TaN、Cu、Ru金属薄膜;
- 可沉积Al2O3,AlN介质薄膜;
- 支持8寸及以下的整片和碎片;
- 八寸基底沉积的薄膜均匀性<3%;
- ICP功率最大可达300W;
- 加热温度最大可达500度;
- 多层和加厚层沉积与工程师联系;
- 特殊金属工艺沉积可与工程师联系。
典型使用案例:
低阻TiN薄膜(电阻率<100µΩ·cm)
设备类别:薄膜沉积设备;设备编号:EFM4ALD01;设备地点:东区薄膜Ⅳ区
工艺工程师:姓名:乌李瑛;邮箱:lynn_wu@sjtu.edu.cn 电话:021-34206126-6028
设备照片:
先进电子材料与器件(AEMD)平台
2024年12月30日