TSV电镀填充工艺

(TSV Filling by Electrodeposition)

硅通孔（TSV）技术是用垂直硅通孔形成穿透硅基片形成电导通的方法，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的核心工艺。实现硅深孔的高质量铜填充，是TSV技术的关键工艺。AEMD通过使用甲基磺酸铜体系电镀液和新型添加剂，增加抽真空和预润湿等前处理，可以实现最大深宽比10：1，最大孔深250μm，最小孔径10μm的TSV的无孔隙，高填充率的自底而上的超级填充。

 

普通电镀铜和TSV电镀铜的区别：

上图，当使用普通镀液电镀填充深孔时，会在填充过程中形成空隙。下图，TSV电镀中，由于添加剂的协同作用，铜在顶部的沉积速率低于底部沉积速率，即铜“bottom-up”超级填充。

 

DRIE刻蚀的硅深孔：

 

电镀填充后的深孔:

 

工艺工程师：

姓名：田苗；邮箱：miaotian@sjtu.edu.cn；电话：021-34206126-6006