湿法清洗与湿法刻蚀设备

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分类序号	设备名称	设备编号	设备放置地点	设备状态	工艺工程师	设备功能	送样须知及注意事项
1	MOS级标准RCA清洗台	WW1JRCA01	西区湿法II区	暂停开放	李进喜	标准RCA清洗流程,4槽依次去除有机污染、颗粒污染、金属污染及表面自然氧化层。	前段样品（无光刻胶，无任何金属膜层)。
2	介质刻蚀湿法台	WW1JDIE01	西区湿法I区	暂停开放	李进喜	1. 用DHF或BHF去除氧化硅层； 2. 采用热磷酸去除氮化硅层。	前段样品（无光刻胶，无任何金属膜层)。
3	无机去胶湿法台	WW1JIST01	西区湿法I区	暂停开放	李进喜	采用无机溶液（如H2SO4+H2O2）去胶或去残胶。	前段样品（无光刻胶，无任何金属膜层)。
4	MOS级通用湿法台	WW1JMFE02	西区湿法I区	对外开放	李进喜	常规小基片或少批量无金属污染的基片清洗与刻蚀。	前段样品（无光刻胶，无任何金属膜层)。
5	MOS级OEM双筒旋转甩干机	WW1OSRD01	西区湿法I区	对外开放	李进喜	可分别实现3"、4"、5"及6"晶圆一盒（25片）的旋转甩干。	前段样品（无光刻胶，无任何金属膜层)。
6	有机去胶清洗台	WW1JOST01	西区有机清洗区	暂停开放	李进喜	去除光刻胶。	须标注列明样品的每层结构，具体什么材质，是否有图形，是否有金属膜层，有没有其他特别的注意事项。
7	非MOS级标准RCA清洗台	WW2JRCA02	西区湿法I区	暂停开放	李进喜	标准RCA清洗流程,依次去除有机污染、颗粒污染、金属污染及表面自然氧化层。	基片无特别限制，一槽6"*25片，向下兼容。
8	金属刻蚀湿法台	WW2JMEE01	西区湿法II区	暂停开放	李进喜	适用于金属Al,Ti,Co, Ni, Au等金属的湿法刻蚀。	后段样品（无光刻胶，存在金属膜层)；最多一槽6"*25片，向下兼容。
9	体硅刻蚀湿法台	WW2JSIE01	西区湿法II区	暂停开放	李进喜	适用于TMAH或KOH体硅各向异性刻蚀。
10	非MOS级通用湿法台	WW2JMFE01	西区湿法II区	对外开放	李进喜	采用无机溶液（如H2SO4+H2O2）去胶或去残胶。	对基片及表面材料无特别限制，可做小片与破片工艺。
11	非MOS级OEM双筒旋转甩干机	WW2OSRD02	西区湿法II区	对外开放	李进喜	可分别实现3"、4"、5"及6"晶圆一盒（25片）的旋转甩干。	后段样品（无光刻胶，存在金属膜层).。
12	Binder氮气烘箱	WW2BOVN02	西区湿法II区	暂停开放	李进喜	1. 基片真空脱水； 2. 真空烘烤（300℃）。
13	Tousimis全自动临界点干燥仪	WW1TCPD01	西区测试I区	对外开放	田苗	精细结构的无损干燥，如生物材料、高深宽比MEMS结构、多孔材料等等。	使用IPA介质，请避免易溶解物质。

显示第 1 至 13 项结果，共 13 项