SUSS MA6双面对准光刻机
（SUSS MA6 Mask Aligner）
主要技术指标/Specifications:
- 紫外光波长：350nm～450nm
Exposure wavelength:350nm～450nm
- 光强均匀性：2% （6英寸的衬底）
Light intensity uniformity:2% （6inch wafer）
- 分辨率: 0.8μm
Resolution: 0.8μm
- 正面套准精度：0.5μm
Top side overlay accuracy: 0.5μm
- 背面套准精度：1μm
Back side overlay accuracy:1μm
- 基片尺寸：支持6英寸以下5、4、3以及破片
Substrate size: 3”, 4”, 5”, 6”, and piece parts.
主要用途/Applications:
微纳器件加工中曝光微米级结构图型。
Patterning of micrometer-scale structures with photoresist.
