AEMD平台购置的Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统（FIB）已完成了安装调试，为了满足学校广大师生的科研需求，即日起试运行，特此公告。
Zeiss Auriga聚焦离子束简介
主要用于观察、分析和记录材料的微观形貌及在纳微米尺度下的切割、刻蚀、电路修补，透射样品制备及原子探针针尖加工等工作。
一、 主要配置
Pt, W, C, SiO2, XeF2气体注入系统：可在离子束、电子束诱导下进行可控沉积及增强或选择性刻蚀；
牛津纳米机械手（含电学性能测试）：透射电镜样品制样系统，可提取FIB切割后的微小样品，配合FIB对纳米材料进行搬运、操纵；
三维成像系统：可实现对样品的自动切割，自动拍照以及所有照片叠加后的三维重构；
微纳米加工系统：具备离子束沉积并加工复杂图形的软硬件系统；具有大视野拍照系统ALTAS，图像清晰度最高像素可至32x32k ;
具有电子束流枪，可对绝缘体材料无干扰加工或刻蚀；
探测器：能量选择型EsB探测器，高效In-lens SE 探测器，Everhart-Thornley SE2探测器，STEM探测器，红外CCD ;
电子束曝光系统（德国Raith Elphy Plus系统）;
制样设备：英国CRESSINGTON SPUTTER COATER 108全自动高真空镀膜系统；
全自动等离子清洗机.
二、 主要技术指标
电子束：
分辨率：1.0nm@15kV，1.9nm@1 kV
放大倍数：SE模式×12～ 1,000kx，EsB检测器时×100～1,000kx
电子枪：热场发射型，稳定度>0.2%/h
加速电压： 0.1～30kV
样品室：330mm（直径）x270 mm（高）
样品台：六轴电动优中心样品台
离子束：
离子源种类：液态Ga离子源
分辨率：≤2.5nm@30kV
束流强度：最小束流为4nA, 最大束流为20nA
加速电压：1kV-30kV
三、应用范围
高性能双束聚焦离子束系统具有许多独特且重要的功能，能在半导体设计、检测及故障分析上发挥重要作用，例如精密定点切面、晶粒大小分布检测、微线路分析及修理等。FIB 通过离子束聚焦于样品表面, 在不同束流及不同气体辅助的情况下, 可分别实现图形刻蚀、绝缘和金属膜的淀积, 纳米精度物体的制作，微米、纳米尺度进行微纳结构制作和观察, 可快速高精度地为TEM、SEM、EDX、AEX 等分析手段进行制样，聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和刻蚀各过程于一身的新型技术，可广泛应用于生物学、医学、化学、物理学、地质学，金属、半导体材料、高分子材料、陶瓷、纳米材料等领域的科研和教学。