• 湿法清洗与湿法刻蚀设备

序号设备名称设备编号设备放置地点设备状态工艺工程师设备功能送样须知及注意事项
1MOS级标准RCA清洗台WW1JRCA01西区湿法I区对外开放李进喜标准RCA清洗流程,4槽依次去除有机污染、颗粒污染、金属污染及表面自然氧化层前段样品(无光刻胶,无任何金属膜层).。
2介质刻蚀湿法台WW1JDIE01西区湿法I区对外开放李进喜1. 用DHF或BHF去除氧化硅层;2. 采用热磷酸去除氮化硅层;前段样品(无光刻胶,无任何金属膜层).。
3无机去胶湿法台WW1JIST01西区湿法I区对外开放李进喜采用无机溶液(如H2SO4+H2O2)去胶或去残胶;前段样品(无光刻胶,无任何金属膜层).。
4MOS级通用湿法台WW1JMFE02西区湿法I区对外开放李进喜常规小基片或少批量无金属污染的基片清洗与刻蚀;前段样品(无光刻胶,无任何金属膜层).。
5MOS级OEM双筒旋转甩干机WW1OSRD01西区湿法I区对外开放李进喜可分别实现3";、4";、5"及6"晶圆一盒(25片)的旋转甩干; 前段样品(无光刻胶,无任何金属膜层).。
6有机去胶清洗台WW1JOST01西区湿法I区对外开放李进喜去除光刻胶须标注列明样品的每层结构,具体什么材质,是否有图形,是否有金属膜层,有没有其他特别的注意事项。
7非MOS级标准RCA清洗台WW2JRCA02西区湿法I区对外开放李进喜标准RCA清洗流程,依次去除有机污染、颗粒污染、金属污染及表面自然氧化层;基片无特别限制,一槽6“*25片,向下兼容
8金属刻蚀湿法台WW2JMEE01西区湿法II区对外开放李进喜1. 适用于金属Al,Ti,Co, Ni, Au等金属的湿法刻蚀;后段样品(无光刻胶,存在金属膜层);最多一槽6"*25片,向下兼容。
9体硅刻蚀湿法台WW2JSIE01西区湿法II区对外开放李进喜1. 适用于TMAH或KOH体硅各向异性刻蚀。
10非MOS级通用湿法台WW2JMFE01西区湿法II区对外开放李进喜采用无机溶液(如H2SO4+H2O2)去胶或去残胶; 对基片及表面材料无特别限制;可做小片与破片工艺
11非MOS级OEM双筒旋转甩干机WW2OSRD02西区湿法II区对外开放李进喜可分别实现3”、4“、5”及6“晶圆一盒(25片)的旋转甩干;后段样品(无光刻胶,存在金属膜层).。
12Binder氮气烘箱WW2BOVN02西区湿法II区对外开放李进喜1. 基片真空脱水;2. 真空烘烤(300℃)。
13基板清洗设备EODHSTC01东区COMD湿法区对外开放孔路瑶
14湿刻设备EODHWEC01东区COMD湿法区对外开放孔路瑶
15酸洗设备EODHACC01东区COMD湿法区对外开放孔路瑶
16Tousimis全自动临界点干燥仪西区湿法I区验机田苗精细结构的无损干燥,如生物材料、高深宽比MEMS结构、多孔材料等等使用IPA介质,请避免易溶解物质