SUSS MA6双面对准光刻机

（SUSS MA6 Mask Aligner）

主要技术指标/Specifications:

  1. 紫外光波长：350nm～450nm

Exposure wavelength:350nm～450nm

  1. 光强均匀性：2% （6英寸的衬底）

Light intensity uniformity:2% （6inch wafer）

  1. 分辨率: 0.8μm

Resolution: 0.8μm

  1. 正面套准精度：0.5μm

Top side overlay accuracy: 0.5μm

  1. 背面套准精度：1μm

Back side overlay accuracy:1μm

  1. 基片尺寸：支持6英寸以下5、4、3以及破片

Substrate size: 3”, 4”, 5”, 6”, and piece parts.

主要用途/Applications:

微纳器件加工中曝光微米级结构图型。

        Patterning of micrometer-scale structures with photoresist.

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