Princision Imprint PI-D01纳米压印机 （Princision Imprint PI-D01Nano-imprint lithography machine） 主要技术指标/Specifications: 最小压印尺寸：<20nm Imprint minimum feature size ：<20nm 最小残留层厚度：<15nm Minimum residual layer thickness： <15nm 印章/基底尺寸 ：≤2inch to 6 inches Stamp/substrate size: from 2inch to 6inch diameter 压印压力：0 – 10 bar Imprint pressure: 0 – 10 bar 压印温度：室温到 300ºC Imprint temperature: from ambient temperature to 300º; Imprint temperature setting…
SUSS MA6双面对准光刻机 （SUSS MA6 Mask Aligner） 主要技术指标/Specifications: 紫外光波长：350nm～450nm Exposure wavelength:350nm～450nm 光强均匀性：2% （6英寸的衬底） Light intensity uniformity:2% （6inch wafer） 分辨率: 0.8μm Resolution: 0.8μm 正面套准精度：0.5μm Top side overlay accuracy: 0.5μm 背面套准精度：1μm Back side overlay accuracy:1μm 基片尺寸：支持6英寸以下5、4、3以及破片 Substrate size: 3”, 4”, 5”, 6”, and piece parts. 主要用途/Applications: 微纳器件加工中曝光微米级结构图型。 Patterning of micrometer-scale structures with photoresist.
VistecEBPG-5200+电子束光刻系统 （Vistec EBPG-5200+Electron-beam lithography system） 主要技术指标/Specifications: 最大加速电压：100KV Accelerating voltage: 100KV 最大扫描速度：50MHZ Pattern generator frequency: 50MHz 束流：0.1nA~100nA Beam current：0.1nA~100nA 最小束斑直径：≤3nm Minimum beam spot size: ≤3nm 电子束寻址位DAC: 20bits主场，14bits子场 DAC addressing: 20bits main field, 14bits sub field 最小实测线宽：≤8nm Minimum measured line width：≤8nm 最小重合/拼接精度：±12 nm Minimum stitching/overlay accuracy: ±12 nm 最大写场：1mm*1mm Write filed: 1mm*1mm 基片尺寸：支持8英寸基片及6英寸掩膜版，同时兼容3、4、5、6英寸硅片与4、5、6、7英寸掩膜版、以及破片的电子束加工，最大基片厚度0.675mm。 Substrate size: 2”,3”,4”,5”, 6”,8”,…