Zeiss Ultra Plus场发射扫描电子显微镜

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Zeiss Ultra Plus场发射扫描电子显微镜 （Zeiss Ultra Plus Field Emission Scanning Electron Microscope） 主要技术指标/Specifications: 分辨率：≤0.8nm@15V，≤1.6nm@1kV Resolution: ≤0.8nm@15V，≤1.6nm@1kV 加速电压：0.02kV-30kV，优异的低电压性能适合观察导电性较差的样品； Acceleration Voltage: 0.02kV-30kV, the excellent low-KV image favors the observation of sample that conducts electricity poorly. 探测器: 极靴内高效二次电子探测器及能量选择背散射电子探测器，样品室内高效二次电子探测器及角度选择背散射电子探测器，能同时获得二次电子图像和背散射电子像。 Detectors: In-lens EsB detector with filtering gird (0-1500V), high efficiency in-lens SE detector, chamber mounted Everhart-Thornley detector, integrated ASB detector 样品台：最大样品尺寸Φ200mm，5轴电动优中心样品台，可倾斜范围为-3～70°，连续旋转360°。…

Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统

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Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统 （ZEISS Auriga SEM/FIB Crossbeam System） 主要技术指标/Specifications: 分辨率：≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV Resolution: ≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV 加速电压：0.1KV-30KV Acceleration voltage: 0.1KV-30KV 电子枪:热场发射电子枪 Election gun: thermal field emission type 离子束：Ion Beam: 离子源种类：液态Ga离子源 Ion source type: liquid Ga+ source 分辨率：≤2.5nm@30kV Resolution: ≤2.5nm@30kV 加速电压：1kV-30kV Acceleration voltage: 1kV-30KV 辅助功能/Assistant functions: Pt,W,C,SiO2,XeF2气体注入系统：可在离子束、电子束诱导下进行可控沉积及增强或选择性刻蚀； Multi-gas injection system (GIS) for Pt, W, C,SiO2,XeF2: Controllable deposition and enhancing or selective…

Denton多靶磁控溅射镀膜系统

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Denton多靶磁控溅射镀膜系统 （Denton Multi-target Magnetic Control Sputtering System） 主要技术指标/Specifications: 极限真空：优于5´10-7Torr Ultimate vacuum: better than 5´10-7Torr 镀膜均匀性与重复性：6英寸衬底均匀性优于±3 % ，重复性优于±2.0% Uniformity & Repeatability: Thickness non-uniformity less than ±5% on 6″ wafer; repeatability better than ±2% 靶材：3个3英寸靶位；2个DC源和1个RF源 Target: three 3” target; two DC power and one RF power 基片尺寸：支持6英寸以下兼顾5、4、3、2英寸以及破片 Substrate size:  6″, 5”, 4”, 3” and below; pieces. 具备防交叉污染的挡板。…

Denton电子束蒸发镀膜设备

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Denton电子束蒸发镀膜设备 （Denton Electron Beam Evaporator） 主要技术指标/Specifications: 极限真空：优于1´10-7Torr Ultimate vacuum :<1´10-7Torr 镀膜均匀性与重复性：6英寸衬底均匀性优于±3% ，重复性优于±2.0%；Uniformity & Repeatability: Thickness non-uniformity less than ±3% on 6″ wafer, repeatability better than ±2% 可配备石墨、钨、钼衬埚，容量18cc. Mo crucible liners and Graphite crucible liners with volum 18cc 可以加工的衬底尺寸：6 英寸以下兼顾5、4、3、2英寸以及破片 Manual tilted substrate stage able to hold maximum one 6″ wafer 工件台偏转角度±45°可调，可做倾斜蒸发。 Max. substrate stage tilt…

Princision Imprint PI-D01纳米压印机

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Princision Imprint PI-D01纳米压印机 （Princision Imprint PI-D01Nano-imprint lithography machine） 主要技术指标/Specifications: 最小压印尺寸：<20nm Imprint minimum feature size ：<20nm 最小残留层厚度：<15nm Minimum residual layer thickness： <15nm 印章/基底尺寸 ：≤2inch to 6 inches Stamp/substrate size: from 2inch to 6inch diameter 压印压力：0 – 10 bar Imprint pressure: 0 – 10 bar 压印温度：室温到 300ºC Imprint temperature: from ambient temperature to 300º; Imprint temperature setting…

SUSS MA6双面对准光刻机

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SUSS MA6双面对准光刻机 （SUSS MA6 Mask Aligner） 主要技术指标/Specifications: 紫外光波长：350nm～450nm Exposure wavelength:350nm～450nm 光强均匀性：2% （6英寸的衬底） Light intensity uniformity:2% （6inch wafer） 分辨率: 0.8μm Resolution: 0.8μm 正面套准精度：0.5μm Top side overlay accuracy: 0.5μm 背面套准精度：1μm Back side overlay accuracy:1μm 基片尺寸：支持6英寸以下5、4、3以及破片 Substrate size: 3”, 4”, 5”, 6”, and piece parts. 主要用途/Applications: 微纳器件加工中曝光微米级结构图型。         Patterning of micrometer-scale structures with photoresist.

VistecEBPG-5200+电子束光刻系统

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VistecEBPG-5200+电子束光刻系统 （Vistec EBPG-5200+Electron-beam lithography system） 主要技术指标/Specifications: 最大加速电压：100KV Accelerating voltage: 100KV 最大扫描速度：50MHZ Pattern generator frequency: 50MHz 束流：0.1nA~100nA Beam current：0.1nA~100nA 最小束斑直径：≤3nm Minimum beam spot size: ≤3nm 电子束寻址位DAC: 20bits主场，14bits子场 DAC addressing: 20bits main field, 14bits sub field 最小实测线宽：≤8nm Minimum measured line width：≤8nm 最小重合/拼接精度：±12 nm Minimum stitching/overlay accuracy: ±12 nm 最大写场：1mm*1mm Write filed: 1mm*1mm 基片尺寸：支持8英寸基片及6英寸掩膜版，同时兼容3、4、5、6英寸硅片与4、5、6、7英寸掩膜版、以及破片的电子束加工，最大基片厚度0.675mm。 Substrate size: 2”,3”,4”,5”, 6”,8”,…