Denton电子束蒸发镀膜设备

uncategorized, WF1薄膜沉积设备, 典型设备

Denton电子束蒸发镀膜设备 （Denton Electron Beam Evaporator） 主要技术指标/Specifications: 极限真空：优于1´10-7Torr Ultimate vacuum :<1´10-7Torr 镀膜均匀性与重复性：6英寸衬底均匀性优于±3% ，重复性优于±2.0%；Uniformity & Repeatability: Thickness non-uniformity less than ±3% on 6″ wafer, repeatability better than ±2% 可配备石墨、钨、钼衬埚，容量18cc. Mo crucible liners and Graphite crucible liners with volum 18cc 可以加工的衬底尺寸：6 英寸以下兼顾5、4、3、2英寸以及破片 Manual tilted substrate stage able to hold maximum one 6″ wafer 工件台偏转角度±45°可调，可做倾斜蒸发。 Max. substrate stage tilt…

Ocean Optics可见光膜厚测量仪

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Ocean Optics可见光膜厚测量仪 (Ocean Optics Film Thickness Measurement System with Microscope) 主要技术指标/Specifications: 测量范围：50nm-20um Thickness range: 50nm-20um 测量精度：1% Meas. accuracy :1% 光谱波长范围：400nm~850nm Spectrum wavelength: 400nm~850nm 基片尺寸：2mm*2mm~200mm*200mm Substrate size: 2mm*2mm~200mm*200mm 带显微镜系统，可进行微区定点测量 Equipped with microscope, can measure specified point film thickness 主要用途/Applications: 氧化物、氮化物、光阻及其他半导体制程薄膜厚度测量，光学常数（n、k）测量。         Thickness and optical constant (n, k) measurement of transparent films, such as SiO2, Si3N4, photoresist,…

Laurell 650-8N高性能涂胶机

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Laurell  650-8N高性能涂胶机 （Laurell 650-8N Spin-coater） 主要技术指标/Specifications: 最高转速： 12000 rpm Maximum spin speed: 12000rpm 转速精度：+/- 0.5rpm Speed accuracy: +/- 0.5rpm 厚度均匀性：~1% (Resist  S1805, 0.5 um) Thickness uniformity: ~1% (Resist  S1805, 0.5 um) 旋涂尺寸:Min. 3mm; Max.: ø200 or 7″×7″ (178mm; Max.: Substrate size: :Min. 3mm; Max.: ø200 or 7″×7″ (178mm; Max.:. 主要应用：         半导体光刻工艺中光刻胶旋涂。         Spin- coating…

SUSS高性能涂胶机I

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SUSS高性能涂胶机I （SUSS Spin-coater） 主要技术指标/Specifications: 支持衬底尺寸：2”,3”,4”,6”及碎片 Substrate size:2”,3”,4”,6”and piece parts. 最快转速：8000rpm Maximum spin speed: 8000rpm 转速准确度：+/- 1rpm Speed accuracy: +/- 1rpm 厚度均匀性：2% (Resist AZ5214E, 1 um) Thickness uniformity: 2% (Resist AZ5214E, 1 um) 可编辑recipe，每个Recipe最多可编辑40步。 Recipe step: maxmum 40 steps for each recipe. 主要用途/Application:         半导体光刻工艺中光刻胶旋涂。         Spin coating photoresist on the substrate.

SUSS Delta HP8热板

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SUSS Delta HP8热板 (SUSS Delta HP8 hotplate) 主要技术指标/Specifications: 温度范围：60°C~250°C Temperature range: 60°C~250°C 温度精度：120°C ±0.5°C ， 120°C 以上±1% Temperature accuracy: 120°C ±0.5°C , ±1%@ above120°C 基片尺寸：支持8 英寸 Substrate size: 8inch 主要用途/Applications: 半导体光刻工艺中最大8 寸基片光刻胶烘烤。 Resist baking to drive off solvents and to solidify the film.

HP-303DU热板

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HP-303DU热板 (HP-303DU hotplate) 主要技术指标/Specifications: 温度范围：室温~380℃ Temperature range: room temperature~380℃ 温度精度：≤±1% Temperature accuracy: ≤±1% 主要用途/Applications: 半导体光刻工艺中最大尺寸达300×300 基片光刻胶烘烤。 Resist baking to drive off solvents and to solidify the film.

HMDS 烘箱

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SVS OV-12　HMDS 烘箱 （Vacuum oven） 主要技术指标（ Specifications）: 温度范围：RT～200℃ Temperature range: ambient to 200 ℃ 温度偏差：＋/-2℃@100℃ Temperature variation： ＋/-2℃ @100℃ 温度波动范围：+/-0.4℃ Temperature uniformity：+/-0.4℃ 加热时间：72min @RT~100℃ Ramp up rate：72min @ ambient to 100℃. 主要用途/Applications: 半导体光刻工艺中硅片表面改性；增加光刻胶对硅片的黏附性。         Improving the adhesion between SiO2 (or glass,Si) surfaces and the photoresist.

Princision Imprint PI-D01纳米压印机

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Princision Imprint PI-D01纳米压印机 （Princision Imprint PI-D01Nano-imprint lithography machine） 主要技术指标/Specifications: 最小压印尺寸：<20nm Imprint minimum feature size ：<20nm 最小残留层厚度：<15nm Minimum residual layer thickness： <15nm 印章/基底尺寸 ：≤2inch to 6 inches Stamp/substrate size: from 2inch to 6inch diameter 压印压力：0 – 10 bar Imprint pressure: 0 – 10 bar 压印温度：室温到 300ºC Imprint temperature: from ambient temperature to 300º; Imprint temperature setting…

SUSS MA6双面对准光刻机

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SUSS MA6双面对准光刻机 （SUSS MA6 Mask Aligner） 主要技术指标/Specifications: 紫外光波长：350nm～450nm Exposure wavelength:350nm～450nm 光强均匀性：2% （6英寸的衬底） Light intensity uniformity:2% （6inch wafer） 分辨率: 0.8μm Resolution: 0.8μm 正面套准精度：0.5μm Top side overlay accuracy: 0.5μm 背面套准精度：1μm Back side overlay accuracy:1μm 基片尺寸：支持6英寸以下5、4、3以及破片 Substrate size: 3”, 4”, 5”, 6”, and piece parts. 主要用途/Applications: 微纳器件加工中曝光微米级结构图型。         Patterning of micrometer-scale structures with photoresist.

VistecEBPG-5200+电子束光刻系统

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VistecEBPG-5200+电子束光刻系统 （Vistec EBPG-5200+Electron-beam lithography system） 主要技术指标/Specifications: 最大加速电压：100KV Accelerating voltage: 100KV 最大扫描速度：50MHZ Pattern generator frequency: 50MHz 束流：0.1nA~100nA Beam current：0.1nA~100nA 最小束斑直径：≤3nm Minimum beam spot size: ≤3nm 电子束寻址位DAC: 20bits主场，14bits子场 DAC addressing: 20bits main field, 14bits sub field 最小实测线宽：≤8nm Minimum measured line width：≤8nm 最小重合/拼接精度：±12 nm Minimum stitching/overlay accuracy: ±12 nm 最大写场：1mm*1mm Write filed: 1mm*1mm 基片尺寸：支持8英寸基片及6英寸掩膜版，同时兼容3、4、5、6英寸硅片与4、5、6、7英寸掩膜版、以及破片的电子束加工，最大基片厚度0.675mm。 Substrate size: 2”,3”,4”,5”, 6”,8”,…