关于规范AEMD平台东区净化室管理的通知 尊敬的各位用户： 为规范管理AEMD平台净化室，平台将于4月18日起整顿平台各类违规违纪现象。 针对平台东区净化室灰区，所有非平台内部人员的各类物品（含柜子）均须在4月18日前清理搬离完毕。如逾期未清理搬离，平台将统一清理！ 平台再次强调净化室内所有化学试剂须黏贴平台统一化学品标签及统一放置在规定位置。对于未按规定存放或未粘贴标签的化学试剂，平台将于4月18日统一清理。东区化学品负责人：王志民 34206126-6010。 请各位用户配合，东区净化室提供带有密码的样品柜供使用，用于存放样品和实验用品，但不得存放化学品。所有化学试剂需从平台领用，如有特殊需求须向平台提出申请。 如有问题，可联系平台净化室管理负责老师：王英 34207734-8017 特此通知 先进电子材料与器件校级平台 二零一六年三月三十一日
关于AEMD平台东区实验室第三次培训通知 各位东区用户： AEMD平台将开展东区净化室第三次培训，此次培训分为两场（任选一场）具体时间安排如下（见表1.），用户可根据自身情况邮件反馈选择参加场次（反馈信息见表2.）。另之前已考核通过但未参加过培训的用户，须参加此次培训，否则将取消门禁。净化室培训及考核内容包括：AEMD平台介绍、消防安全、净化室规范等。请各位师生准时参加培训及考核(签到时间也将作为考核标准)。 为合理分配利用平台资源，针对长期不进入净化室操作的用户将在培训通过6个月后取消门禁，用户之后如需使用平台净化室须重新参加培训及考核。 表1. 培训场次安排 第一场培训 第二场培训 理论培训 3月17日9:00 3月30日9:00 消防演习 3月17日13:30 3月30日13:30 考核时间 3月22日9:30-10:30 4月5日9:30-10:30 培训地点 微纳楼100号报告厅 表2.反馈信息表 学院 系 平台账户 姓名 学号 手机 邮箱 是否已参加单独考核 参加培训场次 更多通知，请各位老师及同学关注AEMD平台网站最新公告（https://aemd.sjtu.edu.cn/），届时考核通过名单将在平台网站上公布，敬请留意。 如有任何疑问，可随时咨询AEMD平台。 联系电话：021-34207734或34208017；分机：8001；联系人：沈老师、韩老师； 联系邮箱：aemd@sjtu.edu.cn。 感谢您的支持与配合！ 先进电子材料与器件（AEMD）平台 二零一六年三月九日
关于AEMD平台EBL和FIB设备调整优惠的通知 尊敬的各位用户： 为保证AEMD平台的加工测试项目及收费适应平台的发展，经过仔细调研和认真讨论之后，AEMD平台最新收费标准已于2016年1月14日正式发布给平台账户负责人，并于2016年2月1日起执行，同时电子束光刻系统（EBL）及场发射电子束/聚焦离子束双束系统（FIB）相应调整优惠价格，实行最新收费标准的八折，于2016年2月1日起实行！欢迎广大用户师生前来使用！ 先进电子材料与器件校级平台 二零一六年一月二十五日
关于AEMD平台2016年寒假工作安排的通知 尊敬的各位老师、同学： 根据《上海交通大学关于2016年寒假工作安排的通知》，结合AEMD工作实际，经研究决定，现将AEMD平台2016年寒假工作安排通知如下： 一、为确保寒假期间教学、科研工作正常进行，同时合理分配和利用实验资源，平台于1月27日16:00起暂停对外加工与测试服务，并于2月18日恢复所有的设备工作状态，处理相关预约邮件，于2月19日始正常对外加工与测试服务。 二、平台净化间在1月21日至1月27日上班时间为上午8:30-11:30，下午1:30-4:30。 三、放假期间，AEMD平台各部门单位要认真做好值守应急、安全保卫等工作，确保全平台师生员工过好祥和平安的假日。 AEMD平台联系电话： 34206187-6000（东区）、34207734-8000（西区）； 保卫处值班电话：54749110； 相关报警电话：110 、119、120； 平台消防安全应急人员电话：梁国恩 13524740000转613752。 特此通知 先进电子材料与器件校级平台 二零一六年元月四日
关于NMC深硅刻蚀设备恢复对外开放使用的通知 各位尊敬的用户老师、学生： AEMD平台西区NMC深硅刻蚀设备已完成维护恢复对外开放使用。SPTS深硅刻蚀仍在维护中。在此期间，给您带来不便，还请见谅！感谢您对AEMD平台的关注！ 先进电子材料与器件校级平台 二零一五年十二月三十一日
关于NMC深硅刻蚀及SPTS深硅刻蚀设备维护的通知 各位尊敬的用户老师、学生： AEMD平台西区NMC深硅刻蚀及SPTS深硅刻蚀因射频故障现暂停使用，给您带来不便，还请见谅！设备恢复后会及时通知各位用户老师及学生，谢谢！ 先进电子材料与器件校级平台 二零一五年十二月二十五日
关于AEMD平台2016年元旦放假安排的通知 各位老师、同学： 根据《国务院办公厅关于2016年部分节假日安排的通知》，结合AEMD工作实际，经研究决定，现将AEMD平台2016年元旦放假安排通知如下： 一、2016年元旦放假调休共3天(1月1日至3日)。1月4日起恢复正常运行。 二、2015年12月31日AEMD平台于16:00关闭实验室，并进行安全检查及实验室物资清算。请各位师生提前做好实验安排，自行调整实验进度。 三、放假期间，AEMD平台各部门单位要认真做好值守应急、安全保卫等工作，确保全平台师生员工过好祥和平安的假日。 AEMD平台联系电话：34206187-6000（东区）、34207734-8000（西区） 保卫处值班电话：54749110 特此通知 先进电子材料与器件（AEMD）校级平台 2015年12月25日
Zeiss Ultra Plus场发射扫描电子显微镜 （Zeiss Ultra Plus Field Emission Scanning Electron Microscope） 主要技术指标/Specifications: 分辨率：≤0.8nm@15V，≤1.6nm@1kV Resolution: ≤0.8nm@15V，≤1.6nm@1kV 加速电压：0.02kV-30kV，优异的低电压性能适合观察导电性较差的样品； Acceleration Voltage: 0.02kV-30kV, the excellent low-KV image favors the observation of sample that conducts electricity poorly. 探测器: 极靴内高效二次电子探测器及能量选择背散射电子探测器，样品室内高效二次电子探测器及角度选择背散射电子探测器，能同时获得二次电子图像和背散射电子像。 Detectors: In-lens EsB detector with filtering gird (0-1500V), high efficiency in-lens SE detector, chamber mounted Everhart-Thornley detector, integrated ASB detector 样品台：最大样品尺寸Φ200mm，5轴电动优中心样品台，可倾斜范围为-3～70°，连续旋转360°。…
Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统 （ZEISS Auriga SEM/FIB Crossbeam System） 主要技术指标/Specifications: 分辨率：≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV Resolution: ≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV 加速电压：0.1KV-30KV Acceleration voltage: 0.1KV-30KV 电子枪:热场发射电子枪 Election gun: thermal field emission type 离子束：Ion Beam: 离子源种类：液态Ga离子源 Ion source type: liquid Ga+ source 分辨率：≤2.5nm@30kV Resolution: ≤2.5nm@30kV 加速电压：1kV-30kV Acceleration voltage: 1kV-30KV 辅助功能/Assistant functions: Pt,W,C,SiO2,XeF2气体注入系统：可在离子束、电子束诱导下进行可控沉积及增强或选择性刻蚀； Multi-gas injection system (GIS) for Pt, W, C,SiO2,XeF2: Controllable deposition and enhancing or selective…
Denton多靶磁控溅射镀膜系统 （Denton Multi-target Magnetic Control Sputtering System） 主要技术指标/Specifications: 极限真空：优于5´10-7Torr Ultimate vacuum: better than 5´10-7Torr 镀膜均匀性与重复性：6英寸衬底均匀性优于±3 % ，重复性优于±2.0% Uniformity & Repeatability: Thickness non-uniformity less than ±5% on 6″ wafer; repeatability better than ±2% 靶材：3个3英寸靶位；2个DC源和1个RF源 Target: three 3” target; two DC power and one RF power 基片尺寸：支持6英寸以下兼顾5、4、3、2英寸以及破片 Substrate size: 6″, 5”, 4”, 3” and below; pieces. 具备防交叉污染的挡板。…