NMC反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-II)

(NMC ICP Deep Silicon Etching System)

主要技术指标/Specifications:

  1. 气体种类：SF6、C4F8、Ar、O2

        Gas: SF6、C4F8、Ar、O2

  1. 基片尺寸：最大支持8英寸，并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片

Substrate size: Up to 6inch, applicable to 5, 4, 3, 2inch and broken pieces

  1. 射频电源     ICP电源：13.56MHz，1200W; 偏压电源：13.56MHz，100W

RF Generators  ICP source: 13.56MHz, 2500 W; RF Bias: 400kHz, 200 W

  1. 工艺温度：10℃到80℃可控

Process temperature: 10℃ to 80℃ controllable

  1. 传送模式：自动Loadlock传送系统

        Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system

主要用途/Applications:

        硅材料的干法深刻蚀

        Silicon deep etching with Bosch process.

NMC反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-II)