SPTS反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-I)

(SPTS ICP Deep Silicon Etching System)

主要技术指标/Specifications:

1. 气体种类：SF₆、C4F₈、Ar、O₂等

        Gas: SF₆, C4F₈, Ar, O_{2 etc.}

2. 基片尺寸：最大支持6英寸，并向下兼容4英寸和破片

Substrate size: Up to 6inch, applicable to 5, 4, 3, 2inch and broken pieces

3. 射频电源：ICP电源：13.56MHz，1500W; 偏压电源：13.56MHz，300W

RF Generators：ICP source: 13.56MHz, 1500 W; RF Bias: 13.56MHz, 300w/400kHz, 30 W

4. 工艺温度：10℃到30℃可控

Process temperature: 10℃ to 30℃ controllable

5. 传送模式：自动Loadlock传送系统

        Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system

主要用途/Applications:

        硅的干法深刻蚀，并可以扩充刻蚀Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。

        Silicon deep etching with Bosch process, can be upgrade for Ⅲ-ⅤandⅡ-Ⅵ compound semiconductors.