NMC ICP反应离子刻蚀机（用于介质薄膜）

（NMC ICP Reactive Ion Etching System -For Dielectric Films)

主要技术指标/Specifications:

  1. 气体种类：O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等

        Gas: O2, CF4, CHF3, SF6, BCl3 etc.

  1. 基片尺寸：最大支持8英寸，并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片

Substrate size: 8inch and below; broken pieces

  1. 射频电源     ICP电源：13.56MHz，1400W; 偏压电源：13.56MHz，800W

RF Generators：ICP source: 13.56MHz, 1400w；RF Bias: 13.56MHz, 800w

  1. 工艺温度：10℃到80℃可控

        Process temperature: 10℃ to 80℃ controllable

  1. 传送模式：自动Loadlock传送系统

        Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system

主要用途/Applications:

        介质薄膜干法刻蚀，包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等

Dry etching of dielectric films, such as SiO2, Si3N4, SiON, SiC etc.

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