Oxford等离子体增强化学气相沉积系统

（Oxford PECVD system）

主要技术指标/Specifications:

  1. 气体种类：SiH4、NH3、N2O、CH4、CF4、PH3、B2H6等

Gas: SiH4、NH3、N2O、CH4、CF4、PH3、B2H6

  1. 射频电源   上电极：13.56MHz，300W

下电极：50kHz-460kHz，500W

RF Generator       Top electrode: 13.56MHz, 300W

RF Bias: 50kHz-460kHz, 500W

  1. 工艺温度：最高到 400℃

Process temperature: top to 400℃

  1. 传送模式：自动Loadlock传送系统

Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system

主要用途/Applications:

介质薄膜沉积，包括SiO2、Si3N4、SiC、SiON、BSG、PSG、BPSG等。

Dielectric films including SiO2、Si3N4、SiC、SiON、BSG、PSG、BPSG.

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