全自动多靶溅镀系统

（Automatic Muti-targets Sputtering System）

主要技术指标/Specifications：

  1. 极限真空度：1´10-4 Pa

Ultimate vacuum: 1´10-4 Pa

  1. 氧化物薄膜沉积速率大于 10nm/min

Sputter rate of oxide film: more than 10nm/min

  1. 均一性小于  ±5%

Film non-uniformity: less than ±5%

  1. 靶材：3英寸，4个靶位，1个DC源和1个RF源

Target: 3”, Four target; one DC power and one RF power

  1. 基片加热：250℃

Substrate heating: 250℃

  1. 基片尺寸：3英寸及以下

Substrate size: 3” and below

主要用途/Application：

        仅限于使用硅片和玻璃基板，样品表面不允许有污染性的材料（如光刻胶等有机材料）；设备仅限于沉积如下氧化物半导体与绝缘体薄膜：SiOx, AlOx, TiOx, YOx, TaOx, MoOx, IGZO, ZnO, ITO和IZMeO。

        Only used for silicon and glass substrates;  contamination materials (e.g. Photoresist) are forbidden.  Only sputtering deposit SiOx, AlOx, TiOx, YOx, TaOx, MoOx, IGZO, ZnO, ITO和IZMeO film.

全自动多靶溅镀系统