ABM接触式掩膜紫外曝光机

（ABM Contact Mask Aligner with Deep /Near UV Exposure System）

主要技术指标/Specifications：

  1. 曝光光源：220nm, 254nm, 365nm, 400nm

Exposure wavelength: 220nm, 254nm, 365nm, 400nm

  1. 曝光面内均一性:±1%（2英寸） ±2% （4英寸）±3% （6英寸）

Exposure beam uniformity: ±1% (2”), ±2% (4”), ±3% (6”)）

  1. 曝光有效范围:6英寸直径

Exposure effective area: 6”

  1. 曝光最小线宽：0.5mm

Exposure min. linewidth: 0.5mm

  1. 曝光模式：软接触，硬接触，真空接触，接近式曝光（间隙：1mm～6.32mm）

Exposure Mode: soft contact, hard contact, vacuum contact, proximity (gap: 1mm～6.32mm)

  1. 显微镜正面对准精度误差优于±0.5mm

Front side alignment accuracy: £±0.5mm

  1. 基片尺寸：6英寸、4英寸及以下

Substrate: 6”,4” and below; pieces

主要用途/Applications：

        0.5mm以上光刻图形曝光.

        0.5mm above Pattern generation on Photoresist.

ABM接触式掩膜紫外曝光机