RTP-300快速热处理炉

(RTP-300 Rapid Thermal Processing Furance)

主要技术指标/Specifications：

  1. 温度范围：300~1200℃

Heating temperature: 300~1200℃

  1. 升温速率：100-200℃/s

Heating rate: 100-200℃/s

  1. 样品尺寸：4英寸及以下尺寸

Substrate size: 4” and below;  pieces

  1. 退火气氛：N2、O2

Annealing gas: N2、O2

主要用途/Applications：

应用于硅及化合物半导体材料离子注入后的退火，硅化物的形成，欧姆接触制备以及快速氧化，快速氮化等方面。

Post implantation annealing of silicon and compound semiconductor ; saliciding process; rapid thermal nitriding (RTN ) and rapid thermal oxidation (RTO), etc.

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