等离子去胶机

(Plasma Photoresist stripper)

主要技术指标：

  1. 起辉真空:1´10-2 Torr

Glow initial vacuum: 1´10-2 Torr

  1. 气体：O2

Gas: O2

  1. 起辉功率800W

Glow initial power: 800W

  1. 基片尺寸：≤4英寸

Substrate size: 4” and below

  1. 一次去胶2~10片

Capability of stripping 2~20 pieces sample at one time

主要用途/Applications：

用于光刻显影后对底膜的刻蚀及光刻胶的刻蚀

Stripping post etching or post development photoresist.

等离子去胶机