XeF2干法硅刻蚀系统

(XeF2 Dry etching system)

主要技术指标/Specifications：

  1. 蚀刻速率：1mm/min

Etching rate: 1mm/min

  1. 气体种类：XeF2

Gas: XeF2

  1. 基片尺寸：适用6”及以下尺寸的硅片蚀刻

Substrate size: 6” and below silicon wafer and pieces

主要用途/Applications：

用干法技术进行各向同性的硅、锗或Mo的蚀刻，主要用于MEMS领域的牺牲层释放，刻蚀保护层宜用光刻胶、SiO2或Al.

Isotropic dry etching for Si, Ge or Mo. Mainly used for release of sacrificial layer in MEMS; Photoresist, SiO2 or Al is recommend to be etching mask.

equipwn_ks_gfgks