离子束刻蚀系统

(Ion Milling /Ion Beam Etching System)

主要技术指标：

  1. 极限真空：9´10-5Pa

Ultimate vacuum: 9´10-5 Pa

  1. 刻蚀均匀性与重复性：3英寸衬底均匀性优于±5% ，重复性优于±5%

Thickness non-uniformity: better than ±5% on 3” substrate.

Thickness repeatability: better than ±5%

  1. 刻蚀速率:200nm/min

Etching rate: 200nm/min

  1. 基片尺寸：≤4英寸

Substrate: 4” and below

  1. 刻蚀气体：:Ar

Etching gas: Ar

主要用途/Applications：

主要用于金属材料的刻蚀

Mainly used for etching metal materials

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