SUSS MA6/BA6双面对准接触式紫外光刻机

(SUSS MA6/BA6 Double-sided UV Mask Aligner)

主要技术指标/Specifications：

  1. 紫外光波长：350nm～450nm

Exposure wavelength:350nm～450nm

  1. 光强均匀性：2% （3英寸的衬底）

Light intensity uniformity:2% （3” wafer）

  1. 分辨率: 0.8μm；

Resolution: 0.8μm；

  1. 正面套准精度：0.5μm

Top side overlay accuracy: 0.5μm

  1. 背面套准精度：1μm

Back side overlay accuracy:1μm

  1. 基片尺寸：支持4、3以及破片

Substrate size: 3 inch, 4inch, 6inch, and piece parts.

主要用途（Main application）:

        微纳器件加工中曝光微米级结构图型。

        Patterning of micrometer-scale structures with lithography.

equipwn_gk_SUSSMA6