SVCS卧式氧化扩散炉管

（SVCS Horizontal Oxidation / Diffusion Furnace）

主要技术指标/Specifications:

  1. 磷扩散工艺（炉管1）

        磷源：液态POCl3，工艺气体：高纯N2、O2、POCl3

        Diffusion process（tube 1）

        P source： Liquid POCl3，Process gas：PN2、O2、POCl3

        Temperature: 900-970 °C

  1. 硼扩散工艺（炉管2）

        扩散源：液态BBr3

        主要工艺气体：高纯N2、O2、BBr3

        Boron diffusion process（tube 2）

        Diffusion source：Liquid BBr3

        Process gas：N2, O2, BBr3

  1. 干氧/湿氧氧化工艺（炉管3）：

主要工艺气体：高纯N2、O2、H2、DCE

        Oxidation Furnace（tube 3）：

        Process gas：N2、O2、H2、DCE

  1. 温度范围：500-1200 °C

Process temperature：500 to 1200 degree

  1. 硅片尺寸：3英寸、4英寸、6英寸圆片；50片/炉

Silicon wafer: 3”,4”,6” wafer；50wafers/batch

主要用途/Applications:

        用于半导体器件、光电子器件及集成电路制造等领域对硅晶片进行n型与P型扩散掺杂以及氧化工艺。

Used in n-type doping, p-type doping and oxidation of semiconductor, photo-electron devices and circuits.

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