关于AEMD平台常压氧化扩散炉和低压化学气相沉积炉管开放试运行的通知

关于AEMD平台常压氧化扩散炉和低压化学气相沉积炉管开放试运行的通知 各位老师、同学：     为了满足学校广大师生的科研需求，AEMD平台购置的常压氧化扩散炉管和低压化学气相沉积炉管已完成安装调试，从2016年7月19日起开放运行，各位用户老师、学生可预约使用，特此公告。 常温氧化扩散炉管设备介绍：     样品尺寸：3寸、4寸以及6寸硅片（圆片）的氧化扩散工艺，每次最多可以处理50片硅片。     工艺温度800度到1150度。     氧化炉：可通过干氧和湿氧的方式生长二氧化硅，厚度从100nm到2um.     硼扩散工艺炉管：可通过溴化硼进行高温硼扩散工艺，从而达到掺杂的目的。     磷扩散工艺炉管：可通过三氯氧磷进行高温磷扩散工艺，从而达到掺杂的目的。 低压化学气相沉积炉管设备介绍：     样品尺寸：3寸、4寸以及6寸硅片（圆片）的低压化学气相沉积工艺，每次最多可以处理50片硅片。     工艺温度500度到800度。     氮化硅炉管：可通过低压化学气相沉积方式沉积氮化硅薄膜，厚度从100nm到2um.     多晶硅炉管：可通过低压化学气相沉积方式沉积多晶硅薄膜，厚度从100nm到2um，同时可以通过工艺实现掺磷（多晶硅炉管尚处于调试中，开放时间另行通知）。   先进电子材料与器件校级平台 二零一六年七月十九日